因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电阻率均匀性：面内电阻率分布，批次间电阻率一致性，局部电阻率波动，厚度方向电阻率变化。

2.方块电阻均匀性：表面方块电阻分布，边缘与中心差异，区域电阻偏差，片内离散程度。

3.载流子浓度均匀性：载流子浓度分布，区域掺杂一致性，面内浓度波动，厚度方向浓度变化。

4.迁移率均匀性：电子迁移率分布，空穴迁移率分布，局部迁移率差异，不同区域传输一致性。

5.漏电特性均匀性：漏电流分布，反向漏电一致性，局部漏电异常，电压加载下漏电变化。

6.击穿特性均匀性：击穿电压分布，局部击穿敏感区识别，耐压一致性，电场承受能力差异。

7.介电性能均匀性：介电常数分布，介质损耗分布，频率响应一致性，局部极化差异。

8.接触电学一致性：接触电阻分布，电极界面导通一致性，欧姆接触稳定性，局部接触异常。

9.表面电位均匀性：表面电位分布，边缘电位变化，局部电位起伏，表面电荷分布差异。

10.导电通道连续性：导电路径完整性，局部高阻区识别，微区导电差异，电流通道均衡性。

11.阻抗响应均匀性：阻抗谱分布，电容电阻耦合特征，频域响应一致性，局部界面响应差异。

12.温度电学稳定性：升温电阻变化一致性，温漂分布，热激发导电差异，温度循环后电学均匀性。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延片、导电型碳化硅晶片、半绝缘碳化硅晶片、抛光碳化硅晶圆、切割碳化硅晶片、研磨碳化硅基片、碳化硅外延结构样品、碳化硅功率器件芯片、碳化硅二极管芯片、碳化硅场效应器件芯片、碳化硅电学测试片、碳化硅掺杂样片、碳化硅退火样品、碳化硅电极制备样品、碳化硅失效分析样品

检测设备

1.四探针测试仪：用于测定材料表面电阻和方块电阻，适合评估片内电阻分布与均匀性。

2.霍尔效应测试系统：用于测定载流子浓度、迁移率和导电类型，可分析电学参数的空间一致性。

3.半导体参数分析仪：用于测量电流电压特性、漏电流和击穿行为，适合器件级电学均匀性评价。

4.探针台：用于实现微区电接触测试，便于不同位置样品的局部电学性能测定。

5.阻抗分析仪：用于测量阻抗、电容及频率响应特征，可评估介电与界面电学一致性。

6.电容电压测试系统：用于分析掺杂分布、结区特性和界面响应，适合研究电学分布均匀程度。

7.表面电位测试仪：用于测量样品表面电位变化，识别局部电荷聚集与电位分布异常。

8.显微电学测试系统：用于开展微区导电和局部电响应检测，可定位细小区域的电学不均匀现象。

9.高低温试验装置：用于提供受控温度环境，评估不同温度条件下电学参数的稳定性与一致性。

10.绝缘电阻测试仪：用于测定高阻状态下的绝缘性能和泄漏水平，适合半绝缘样品的均匀性分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。