因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.杂质元素含量分布：主杂质元素含量、痕量杂质元素含量、区域含量差异。

2.面内均匀性检测：晶圆中心与边缘分布、径向浓度变化、环向分布一致性。

3.轴向均匀性检测：生长方向浓度变化、不同深度杂质分布、纵向波动情况。

4.局部偏析分析：局部富集区域、局部贫化区域、偏析边界分布。

5.浓度梯度检测：横向浓度梯度、纵向浓度梯度、界面过渡变化。

6.批次一致性评价：同批样品差异、批间分布稳定性、重复样品偏差。

7.异常区域识别：高杂质点、低杂质点、分布异常区定位。

8.微区成分均匀性：微区杂质含量、微区波动范围、微区分布连续性。

9.掺杂相关分布检测：施主杂质分布、受主杂质分布、补偿杂质变化。

10.表层与内部对比：表层杂质分布、近表面浓度变化、内部区域均匀性。

11.界面区域检测：外延界面分布、衬底过渡区杂质变化、界面均匀程度。

12.统计均匀性评价：平均含量、离散程度、均匀性波动范围。

检测范围

碳化硅单晶、碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅衬底、碳化硅外延片、导电型碳化硅材料、半绝缘碳化硅材料、抛光碳化硅晶圆、切割碳化硅样片、研磨碳化硅样片、外延生长碳化硅样品、热处理碳化硅样品、掺杂碳化硅样品、未掺杂碳化硅样品、功率器件用碳化硅材料、射频器件用碳化硅材料

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于分析样品表面及深度方向的杂质元素分布，适合痕量杂质检测与深度剖析。

2.辉光放电质谱仪：用于测定固体材料中的多种杂质元素含量，可开展整体杂质水平分析。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量元素定量分析，适合评估材料中低含量杂质水平。

4.原子发射光谱仪：用于多元素成分测定，可对杂质元素种类及含量进行分析。

5.显微拉曼光谱仪：用于微区成分与结构变化分析，可辅助识别局部异常区域。

6.扫描电子显微镜：用于观察样品微观形貌与局部特征，可配合开展异常区域定位分析。

7.电子探针显微分析仪：用于微区元素分布检测，适合进行面扫描与点分析。

8.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析特定杂质相关吸收特征，可辅助评价分布状态。

9.霍尔效应测试系统：用于表征载流子浓度与迁移特性，可间接反映掺杂均匀程度。

10.四探针测试仪：用于测量材料电阻率分布，可辅助评估面内均匀性与区域差异。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。