因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.材料本体纯度分析：体材料杂质元素分析，晶体缺陷密度检测，氧碳含量测定，重金属杂质筛查。

2.化学品纯度检测：湿电子化学品金属离子浓度，颗粒物数量与尺寸分布，有机残留物分析，酸度与水分含量。

3.工艺气体杂质分析：高纯气体中痕量氧、氮、水分、烃类化合物含量，颗粒物浓度检测。

4.硅片表面污染物分析：表面金属污染物定量，有机薄膜残留检测，颗粒污染度评估。

5.薄膜材料纯度与成分分析：介质膜与金属膜元素组成，薄膜厚度与均匀性，杂质掺杂浓度与分布。

6.光刻胶及相关材料纯度：金属离子杂质含量，颗粒污染物检测，溶剂纯度与水分分析。

7.刻蚀与清洗后残留分析：刻蚀副产物残留，清洗剂残留离子，聚合物残留检测。

8.封装材料杂质检测：封装树脂离子纯度，模塑料中卤素含量，导热材料金属杂质分析。

9.电镀液杂质分析：电镀液中有机添加剂分解产物，金属杂质离子浓度，颗粒物污染。

10.失效分析中的杂质溯源：失效点异物成分鉴定，腐蚀产物分析，迁移金属元素识别。

11.晶圆背面污染检测：背面金属污染，背面颗粒物，背封涂层均匀性与纯度。

检测范围

硅抛光片与外延片、化合物半导体衬底、光刻胶与显影液、高纯特种气体、湿法化学品、化学机械抛光液、金属溅射靶材、电镀液、晶圆级封装材料、引线框架、塑封料、导热界面材料、键合丝、芯片成品、失效分析样品、洁净室环境监测样品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量及超痕量金属杂质的定量分析；具备极高的检测灵敏度与多元素同时分析能力。

2.气相色谱-质谱联用仪：用于分析工艺气体及化学品中的挥发性有机污染物；可对复杂有机物进行分离与定性定量。

3.总反射X射线荧光光谱仪：用于硅片表面薄膜及极微量金属污染的无损分析；特别适用于硅片表面纳米级污染层的检测。

4.二次离子质谱仪：用于材料表面及深度方向的杂质元素分布分析；可实现三维成分成像与深度剖析。

5.原子力显微镜：用于表面形貌与粗糙度的纳米级测量；可评估表面污染颗粒的尺寸与分布。

6.傅里叶变换红外光谱仪：用于材料中有机官能团、水分及薄膜厚度的定性定量分析；适用于有机污染物鉴定。

7.辉光放电质谱仪：用于块体材料从表面到内部的深度成分分析；适用于高纯材料中杂质元素的整体评价。

8.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：用于固体样品微区成分分析与元素分布成像；空间分辨率高，适用于缺陷点分析。

9.四极杆飞行时间串联质谱仪：用于复杂基质中未知有机污染物的高分辨率筛查与结构鉴定。

10.热脱附-气相色谱质谱联用仪：用于材料表面吸附的挥发性及半挥发性有机物的定性与定量分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。