因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.金属杂质检测：碱金属残留量，碱土金属残留量，过渡金属残留量，重金属残留量，贵金属残留量。

2.轻元素分析：硼元素含量，碳元素含量，氮元素含量，氧元素含量。

3.表面污染鉴定：有机污染物膜厚，无机颗粒物成分，吸附气体层分析，工艺残留物鉴定。

4.掺杂元素分析：掺杂浓度定量，掺杂分布均匀性，掺杂深度剖面。

5.界面元素互扩散：界面处元素扩散深度，互扩散层成分，界面反应产物鉴定。

6.薄膜成分分析：薄膜层元素组成，薄膜厚度测量，多层膜结构界面分析。

7.颗粒物来源分析：缺陷点处颗粒物成分，污染物来源鉴别，环境落尘分析。

8.工艺腔体污染评估：腔体材料溅射污染，前道工艺残留物评估，交叉污染分析。

9.腐蚀与氧化产物分析：腐蚀层元素组成，氧化膜厚度与成分，腐蚀产物相鉴定。

10.深度浓度分布：元素随深度浓度变化，杂质元素聚集行为，梯度材料成分分析。

11.离子注入后分析：注入离子浓度分布，注入损伤层分析，退火后杂质再分布。

检测范围

半导体硅片、化合物半导体晶圆、光学镀膜镜片、磁记录薄膜、光伏电池片、发光二极管外延片、集成电路芯片、微机电系统器件、溅射靶材、特种合金箔材、高温超导薄膜、精密陶瓷基板、玻璃镀膜材料、纳米粉末材料、量子点材料、医用植入体涂层、核材料包壳涂层、航天器热控涂层、锂离子电池电极片、燃料电池催化剂涂层

检测设备

1.离子束分析系统：提供高能离子束用于轰击样品，产生核反应或卢瑟福背散射信号；通常包含离子源、加速器及束流传输部件。

2.粒子探测器：用于接收并测量从样品散射出的带电粒子能量与数量；其能量分辨率直接影响元素鉴别能力。

3.真空样品室：为分析过程提供超高真空环境，避免气体分子对入射离子束及散射信号的干扰。

4.多轴样品操纵台：实现样品在真空腔内的精确平移、旋转与倾斜，用于调整离子束入射角与探测角。

5.束流积分仪：精确测量入射到样品上的离子总电荷量，是进行定量分析所必需的关键参数测量设备。

6.电荷中和系统：对绝缘样品进行分析时，用于中和样品表面因离子轰击积累的电荷，防止电荷效应干扰测量。

7.数据采集与处理系统：采集探测器输出的脉冲信号，将其转换为能谱，并通过专业软件进行谱图拟合与定量分析。

8.束流准直与聚焦系统：对离子束进行准直或微米级聚焦，以控制分析束斑尺寸，实现微区分析或提高空间分辨率。

9.原位溅射刻蚀装置：通过离子溅射逐层剥离样品表面，结合散射分析，实现元素深度分布剖面的测量。

10.前置放大与主放大系统：将探测器产生的微弱电荷信号进行放大和成形，以供后续的数据采集系统精确测量。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。