因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.主体元素与掺杂剂分析：硅、锗等半导体主体元素含量测定，硼、磷、砷等掺杂元素浓度与分布分析。

2.金属杂质检测：钠、钾、铁、铜、铝、镍、铬等痕量金属污染物的定性识别与定量分析。

3.薄膜成分与厚度分析：二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属硅化物等介质层与导电膜的化学成分、化学计量比及膜厚测量。

4.表面污染物分析：有机污染物、颗粒物、无机残留物、氧化物及自然氧化层的成分鉴定与含量测定。

5.有机材料成分分析：光刻胶、聚合物涂层、封装树脂、底部填充胶等有机材料的成分剖析与添加剂鉴定。

6.键合界面与合金相分析：金丝、铜柱、焊锡球等互连材料的成分，以及界面金属间化合物的形成与成分分析。

7.高介电常数与金属栅材料分析：铪基、锆基等高介电常数材料以及功函数金属层的元素组成与深度分布分析。

8.晶圆背面污染分析：晶圆背面在工艺过程中引入的金属、有机物及颗粒污染物的检测。

9.气体与离子注入分析：工艺腔室内残留气体成分分析，以及离子注入后掺杂元素的激活率与分布分析。

10.钝化层与保护层分析：氮化硅、聚酰亚胺等钝化保护层的成分、密度及均匀性评估。

11.电镀液与化学液分析：电镀铜、化学机械抛光等工艺所用化学药液的主成分、添加剂及杂质含量分析。

12.封装材料有害物质检测：封装体及基板材料中铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯等受限物质的筛查。

检测范围

硅抛光片、外延片、砷化镓晶圆、绝缘体上硅晶圆、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅栅极、金属互连线、铜互连结构、钨栓塞、焊锡球、金丝键合线、环氧塑封料、陶瓷封装外壳、液晶聚合物基板、光刻胶涂层、化学机械抛光液、电镀液、清洗剂、蚀刻液、芯片成品、晶圆级封装器件、系统级封装模块

检测设备

1.辉光放电质谱仪：用于对半导体级材料进行全元素扫描，具备极高的灵敏度，可检测ppt级别的痕量杂质。

2.电感耦合等离子体质谱仪：对溶解后的液体样品进行多元素痕量分析，特别适用于工艺化学品及浸出液中杂质的定量检测。

3.二次离子质谱仪：通过离子束溅射进行微区成分分析，可获得元素及同位素在样品纵深方向的分布信息，深度分辨率极高。

4.俄歇电子能谱仪：用于表面及界面数纳米范围内的元素定性、定量及化学态分析，特别适用于薄膜、污染及失效分析。

5.X射线光电子能谱仪：分析样品表面元素的化学态、分子结构及定量组成，是研究薄膜化学计量比、污染物种类的关键设备。

6.傅里叶变换红外光谱仪：通过分子振动光谱识别有机、无机化合物及化学键类型，常用于薄膜成分、污染物及聚合物材料分析。

7.扫描电子显微镜及X射线能谱仪：提供微区形貌观察与元素定性、半定量分析，是失效分析和材料表征的常规组合设备。

8.X射线衍射仪：用于分析晶体材料的物相组成、晶体结构、晶粒尺寸及应力状态，适用于薄膜、衬底及金属间化合物分析。

9.热重分析仪与差示扫描量热仪：通过测量材料在程序控温下的质量与热流变化，分析封装材料的热稳定性、成分含量及相变行为。

10.总反射X射线荧光光谱仪：专门用于硅片等表面平坦样品的表面痕量金属污染检测，具有快速、非破坏性的特点。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。