因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电阻率基础测量：中心电阻率，边缘电阻率，多点平均电阻率。

2.径向均匀性评估：径向电阻率变化率，最大最小电阻率偏差。

3.纵向参数分析：晶棒头尾电阻率梯度，纵向掺杂分布。

4.导电特性判定：导电类型识别，热电偶法判定，冷热探针法。

5.载流子特性测试：载流子浓度计算，迁移率评估，电荷密度分布。

6.材料纯度分析：杂质能级分析，补偿度计算，受主施主浓度比。

7.物理结构检测：晶体取向偏差，晶面指数鉴定。

8.几何尺寸测量：总厚度偏差，平整度，线型弯曲度。

9.表面质量评估：表面方块电阻，薄层电阻分布，粗糙度。

10.内部缺陷评价：位错密度，微缺陷分布，晶格常数测量。

检测范围

直拉硅单晶、区熔硅单晶、电子级硅片、太阳能级硅片、抛光硅片、外延硅片、掺硼硅单晶、掺磷硅单晶、掺锑硅单晶、大尺寸硅锭、硅研磨片、退火硅片、中子嬗变掺杂硅、高纯多晶硅原料、切片硅材、半导体衬底材料

检测设备

1.直流四探针测试仪：通过四根探针与样品接触测量电位差以计算电阻率。

2.非接触式电阻率测量仪：利用电磁感应原理在不损伤表面的前提下获取电阻数据。

3.涡流损耗测试设备：通过感应电流的变化测量导电材料的电阻特性。

4.载流子寿命测试仪：采用光电导衰减法评估材料内部复合中心情况。

5.自动映射系统：实现对整片硅片电阻率分布的自动化扫描与成图。

6.自动厚度测量仪：精确测定硅片厚度以确保电阻率换算的准确性。

7.射线衍射仪：利用衍射原理确定单晶的几何轴线方向与晶体质量。

8.表面轮廓仪：测量样品表面的平整度与微观起伏参数。

9.恒温环境控制舱：确保测试过程在标准温度下进行以消除温漂影响。

10.高精度万用电表：用于辅助校准电路系统中的电压与电流参数。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。