因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.几何尺寸检测：外延层厚度测量、总厚度偏差、厚度均匀性评价。

2.表面宏观缺陷：表面颗粒数、划痕分布、坑洞检测、边缘崩边。

3.表面微观质量：表面粗糙度、微观起伏、薄膜应力分析。

4.晶格完整性：位错密度、层错数量、滑移线长度。

5.电学特性测量：外延层电阻率、径向电阻率变化、载流子浓度分布。

6.杂质含量分析：间隙氧含量、替代碳含量、重金属杂质残留。

7.界面特性评估：界面陡峭度、过渡层厚度、界面电荷密度。

8.平整度分析：翘曲度、弯曲度、总厚度变化、局部平整度。

9.化学稳定性：表面自然氧化层厚度、化学残留物分析。

10.热学性能：热膨胀系数匹配性、热导率评估。

11.晶向偏差检测：晶体取向偏离度、切割角度偏差。

12.封装兼容性：金属化层附着力、焊垫平整度。

检测范围

单晶硅外延片、掺锑硅外延片、掺硼硅外延片、掺磷硅外延片、多层外延结构、异质外延材料、厚膜外延片、薄膜外延片、绝缘体上硅外延层、功率器件外延材料、集成电路外延衬底、太阳能电池外延材料、红外探测器外延层、高频器件外延片、传感器外延基底

检测设备

1.傅里叶变换红外光谱仪：利用红外干涉原理测量半导体薄膜厚度；具备非接触、无损检测能力。

2.四探针电阻率测试仪：通过接触式探针测量外延层的电阻率分布；能够准确评估电学参数一致性。

3.激光平整度测量仪：采用激光反射原理监测晶圆的翘曲度和弯曲度；确保光刻工艺的聚焦精度。

4.扫描电子显微镜：观察外延层表面及横截面的微观形貌；用于分析微小缺陷及层间界面。

5.原子力显微镜：测量纳米级的表面粗糙度；提供极高分辨率的表面三维形貌图像。

6.自动颗粒计数器：检测晶圆表面的微尘和颗粒分布；用于评价洁净室环境及工艺控制水平。

7.晶体缺陷腐蚀显微系统：通过化学腐蚀显示晶体内部的位错和层错；用于评估晶体生长质量。

8.扩展电阻剖面仪：测量外延层纵向的载流子浓度分布；能够分辨极薄的过渡层结构。

9.非接触式电容量测试仪：评估外延层与衬底界面的电学性质；避免探针对表面的物理损伤。

10.能量色散光谱仪：分析表面及近表面区域的化学元素组成；用于识别杂质污染种类。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。