因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.表面复合特性：测量表面钝化质量，评估表面态密度对载流子寿命的影响。

2.体复合寿命：分析材料内部晶格缺陷，评价体材料的整体质量水平。

3.杂质能级表征：检测深能级杂质，分析其对载流子捕获与复合的具体作用。

4.钝化层有效性：评估不同化学钝化或物理钝化处理工艺对寿命提升的效果。

5.注入水平依赖性：测试在不同光照强度或载流子注入浓度下的寿命波动情况。

6.金属污染物评估：定量分析铁、铜等金属杂质对少数载流子寿命的抑制作用。

7.氧碳沉淀检测：研究热处理过程中氧、碳沉淀对载流子复合速率的影响。

8.晶界复合评价：针对多晶材料，检测晶界处的电子复合速率与缺陷活性。

9.工艺环节监控：评估清洗、扩散、刻蚀及退火等关键工序对寿命指标的影响。

10.空间均匀性：通过面扫描技术分析硅片全域寿命的分布差异与局部缺陷。

11.扩散长度计算：根据实测寿命数据推算少数载流子在复合前的平均移动距离。

12.陷阱中心分析：识别并测量材料中的载流子陷阱效应及其对测量结果的干扰。

检测范围

单晶硅片、多晶硅片、直拉硅片、区熔硅片、太阳能级硅片、电子级硅片、抛光硅片、外延硅片、钝化硅片、扩散后硅片、刻蚀后硅片、退火处理硅片、高阻硅片、掺硼硅片、掺磷硅片、回收硅片、铸造单晶硅片、薄层硅材料、绝缘体上硅、碳化硅外延层

检测设备

1.准稳态光电导衰减仪：通过监测光致电导率的衰减过程，实现对有效寿命的宽注入量程测量。

2.微波光电导衰减测试仪：利用微波反射原理监测载流子浓度变化，具有非接触和高灵敏度的测量特点。

3.少数载流子寿命扫描成像系统：获取样品全区域的寿命分布图谱，用于识别局部污染与结构缺陷。

4.表面化学钝化装置：在测试前对硅片表面进行标准化处理，以消除表面复合干扰并获取真实体寿命。

5.精密红外测温仪：实时监控测试过程中的样品环境温度，确保寿命测量数据在热平衡状态下获取。

6.深能级瞬态谱分析系统：配合寿命测试，用于精确识别和定量分析材料内部的深能级缺陷种类。

7.自动片厚测量模块：精确获取各测试点的物理厚度，为寿命计算提供必要的几何修正与参数补偿。

8.载流子浓度测试仪：测量样品的基体掺杂浓度，作为寿命解析和注入水平计算的关键基础数据。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。