因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.几何尺寸分类：厚度偏差，总厚度变化，平整度，翘曲度，边缘倒角形貌。

2.表面质量分类：表面粗糙度，划痕检测，崩边分析，表面污染情况，水印残留。

3.电学性能分类：电阻率分布，少数载流子寿命，载流子浓度，导电类型鉴定。

4.微观缺陷分类：位错密度，层错分析，微缺陷分布，晶界特征。

5.化学成分分类：氧含量测量，碳含量分析，金属杂质含量，掺杂元素浓度。

6.机械性能分类：断裂强度，弹性模量，硬度测试，抗弯曲强度。

7.结晶质量分类：晶向偏离度，多晶晶粒尺寸，单晶完整性评估。

8.热学性能分类：热膨胀系数，热导率，热稳定性评价。

9.表面钝化分类：钝化层厚度，反射率分布，减反射膜均匀性。

10.隐裂检测分类：内部应力分布，微裂纹检测，结构完整性分析。

检测范围

单晶硅方片、多晶硅方片、准单晶硅片、薄片化硅片、大尺寸硅片、掺硼硅片、掺磷硅片、拉制单晶硅、铸造多晶硅、原生多晶硅料、抛光硅片、腐蚀硅片、外延衬底硅片、高效电池专用硅片、背接触电池硅片、异质结电池专用硅片

检测设备

1.非接触式厚度测量仪：用于精确测定硅片的厚度及总厚度变化，确保几何尺寸的统一性。

2.电阻率测试系统：通过多点测量评估硅片的电阻率均匀性，反映材料的导电特征。

3.微波光电导衰减仪：探测少数载流子寿命，是评价硅片纯净度与缺陷水平的核心手段。

4.傅里叶变换红外光谱仪：分析硅片内部氧、碳等间隙原子的含量，监控材料的化学成分。

5.自动光学检测系统：捕捉硅片表面的物理缺陷，如划痕、污点及边缘破损。

6.激光扫描共聚焦显微镜：观察硅片表面的微观形貌与粗糙度，提供高分辨率的三维图象。

7.红外探伤仪：利用红外成像技术检测硅片内部的隐裂与结构缺陷，防止后续加工破碎。

8.晶向测定仪：准确测量硅片的结晶方向偏离度，确保晶体生长符合工艺要求。

9.荧光光谱分析仪：检测硅片中的金属杂质种类及其分布情况，评估材料纯度。

10.表面张力测试仪：评估硅片表面的润湿性能，为后续清洗与制绒工艺提供参考。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。