因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电参数漂移测试：静态工作电流、输入输出漏电流、饱和压降、传输延迟时间、阈值电压等。

2.高温工作寿命试验：在规定高温下施加额定电应力，持续监测关键电参数的变化与失效时间。

3.高温高湿反偏试验：评估芯片在高温高湿环境下，处于反向偏压状态时的长期可靠性，特别是金属化层与钝化层的抗腐蚀能力。

4.温度循环与热冲击试验：检验芯片因温度剧烈变化导致的热膨胀系数失配，可能引发的键合点开裂、层间分层等缺陷。

5.高温存储试验：评估芯片在无电应力、仅高温环境长期存储下的材料稳定性与界面反应。

6.功率温度循环试验：同步施加电功率应力与温度循环，模拟实际开关工况下的热电疲劳老化。

7.可焊性老化试验：模拟存储或预处理后，芯片引脚可焊性的变化，评估镀层老化程度。

8.间歇工作寿命试验：模拟设备频繁开关机场景，评估热机械应力对焊点、互连线的累积损伤。

9.抗静电能力退化测试：检测芯片在经过一定老化后，其静电放电防护能力的衰减情况。

10.封装气密性相关老化：评估长期老化后，封装内部湿度变化、惰性气体泄漏等对芯片性能的影响。

11.栅氧化层经时击穿测试：通过持续或升压应力，评估栅氧化层的长期介电强度与缺陷生成率。

12.金属电迁移测试：在高电流密度下，评估金属互连线因原子迁移导致的开路或短路失效。

13.接触与互连退化测试：评估金属与半导体接触孔、层间通孔等在电热应力下的电阻稳定性。

14.辐射诱发老化评估：针对特殊应用，评估长期低剂量辐射环境对半导体器件参数的漂移影响。

15.机械应力耐久性测试：评估芯片在持续振动、恒定加速度等机械应力下，内部结构连接的可靠性衰减。

检测范围

中央处理器、图形处理器、动态随机存储器、闪存存储器、可编程逻辑器件、数字信号处理器、微控制器、电源管理芯片、模拟开关、运算放大器、数据转换器、射频前端模块、传感器接口芯片、驱动芯片、专用集成电路、硅光子芯片、微机电系统集成器件、各类晶圆级封装芯片、系统级封装模块

检测设备

1.高温老化试验箱：提供长期稳定的高温环境，用于执行高温工作寿命及高温存储试验；具备精准的温度均匀性与控制系统。

2.温度循环试验箱：用于执行温度循环与热冲击测试；能够在设定的高低温区间内实现快速、精确的温度转换。

3.高温高湿反偏试验箱：创造恒温恒湿并集成直流偏压加载能力的测试环境；用于评估芯片在湿热条件下的长期可靠性。

4.半导体参数分析仪：用于老化前后芯片的精密电学特性测量；可执行直流及瞬态参数扫描，监测参数漂移。

5.可靠性寿命测试系统：集成多通道供电、负载与信号监控功能；用于对大量样品并行施加电应力并实时记录失效数据。

6.高加速应力测试系统：通过施加远高于正常水平的综合应力（如温度、湿度、电压），快速激发并暴露产品的潜在缺陷与薄弱环节。

7.扫描电子显微镜：用于老化失效后芯片的微观形貌观察；可分析金属迁移、层间开裂、腐蚀等物理失效现象。

8.声学扫描显微镜：利用超声波进行非破坏性检测；用于探查芯片封装内部的分层、空洞、裂纹等缺陷。

9.静电放电测试系统：用于评估老化前后芯片的抗静电能力；可模拟人体放电模型、机器放电模型等不同放电事件。

10.晶圆级可靠性测试系统：直接在晶圆上对测试结构施加高应力，快速评估介电层击穿、电迁移等工艺相关的可靠性参数。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。