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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
1. 材料体纯度分析:总杂质含量测定、特定金属杂质浓度、非金属元素分析。
2. 表面洁净度与污染检测:表面金属污染物检测、有机污染物分析、颗粒污染物计数。
3. 气体杂质分析:氧含量测定、碳含量测定、氮含量测定、氢含量分析。
4. 痕量金属污染物检测:碱金属含量、过渡金属含量、重金属含量、铀钍等放射性元素分析。
5. 颗粒与缺陷检测:晶体原生颗粒检测、氧化层错密度、位错密度观测。
6. 晶体结构完整性检测:晶向偏差测定、晶格常数测量、晶体均匀性评估。
7. 电学参数纯度关联检测:电阻率均匀性、少数载流子寿命、霍尔效应测试。
8. 化学成分与计量比分析:化合物半导体元素计量比、掺杂剂浓度深度分布。
9. 有机污染物与残留物检测:光刻胶残留、清洗溶剂残留、有机添加剂分析。
10. 水分与氧含量控制检测:体材料水分含量、封装内部水汽含量、吸附氧分析。
11. 同位素丰度分析:硅同位素比值、特定高纯气体的同位素纯度。
12. 光学特性纯度关联检测:光致发光光谱、红外吸收光谱分析杂质能级。
硅抛光片、硅外延片、砷化镓晶片、氮化镓外延片、锗单晶、多晶硅原料、单晶硅棒、化学气相沉积薄膜、物理气相沉积靶材、光刻胶、蚀刻液、化学机械抛光液、超高纯清洗剂、电子级特种气体、陶瓷封装管壳、引线框架、焊球、环氧塑封料、陶瓷基板、金属镀层
1. 二次离子质谱仪:用于对材料表面及深度方向的痕量元素进行定性与定量分析,具有极高的检测灵敏度。
2. 辉光放电质谱仪:用于分析块体材料中的痕量及超痕量杂质元素,可检测几乎全部元素,检出限极低。
3. 气相色谱-质谱联用仪:用于分离和鉴定材料中挥发性及半挥发性有机污染物,确定其具体成分与含量。
4. 电感耦合等离子体质谱仪:用于测定液体样品或经消解后的固体样品中多种痕量金属元素的浓度。
5. 全反射X射线荧光光谱仪:专门用于硅片等平坦样品表面痕量金属污染的无损、快速、高灵敏度检测。
6. 激光散射颗粒计数器:用于统计硅片等表面附着颗粒的数量与尺寸分布,评估洁净度等级。
7. 深能级瞬态谱仪:用于检测半导体材料中深能级杂质和缺陷的电学特性,如浓度、能级位置和俘获截面。
8. 傅里叶变换红外光谱仪:通过分析材料的红外吸收光谱,测定其中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度。
9. 卡尔费休水分测定仪:采用库仑法或容量法精确测定固体、液体或气体样品中微量水分的含量。
10. 四探针电阻率测试仪:通过测量材料的电阻率来间接评估其纯度与掺杂均匀性,操作快速简便。
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

北京前沿科学技术研究院

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