因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.衬底材料均匀性检测：电阻率均匀性，晶向均匀性，厚度均匀性，少子寿命分布。

2.外延层均匀性检测：外延层厚度均匀性，掺杂浓度均匀性，晶体质量均匀性，成分均匀性。

3.薄膜厚度与性质均匀性检测：介质膜厚度均匀性，金属膜厚度均匀性，折射率均匀性，应力分布均匀性。

4.掺杂均匀性检测：离子注入浓度均匀性，扩散层方阻均匀性，结深均匀性，掺杂分布轮廓。

5.图形化工艺均匀性检测：关键尺寸均匀性，侧壁角度均匀性，套刻精度分布，线条边缘粗糙度。

6.金属化层均匀性检测：金属层厚度均匀性，金属线宽均匀性，接触电阻均匀性，粘附强度分布。

7.介质层均匀性检测：介电常数均匀性，击穿电压均匀性，漏电流密度分布，界面态密度分布。

8.表面特性均匀性检测：表面粗糙度均匀性，表面洁净度，颗粒污染分布，缺陷密度分布。

9.电学特性均匀性检测：阈值电压均匀性，跨导均匀性，载流子迁移率均匀性，漏电流均匀性。

10.整体性能均匀性检测：芯片良率分布，性能参数分布，功耗分布，热分布均匀性，可靠性参数分布。

检测范围

硅抛光片、硅外延片、砷化镓衬底、氮化镓外延片、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、铜互连层、铝薄膜、钛氮化物阻挡层、光刻胶涂层、浅沟槽隔离结构、栅氧层、离子注入区、金属硅化物接触层、硅通孔结构、微凸点、晶圆级封装结构、三维集成芯片、存储器单元阵列

检测设备

1.四探针测试仪：用于快速、无损测量半导体晶圆的薄层电阻与电阻率均匀性；适用于外延层、扩散层、离子注入层的均匀性评估。

2.椭圆偏振仪：用于高精度测量薄膜的厚度、折射率等光学常数及其在晶圆表面的均匀性分布；对透明与半透明薄膜尤为有效。

3.X射线衍射仪：用于分析晶体材料的晶格常数、结晶质量、应变应力状态及其在晶圆上的均匀性变化。

4.扫描电子显微镜：用于高分辨率观察和测量微观结构的形貌、尺寸；配备能谱仪可进行微区成分均匀性分析。

5.原子力显微镜：用于在纳米尺度上精确测量表面三维形貌、粗糙度及其均匀性分布，并可进行电学、力学性能的微区表征。

6.二次离子质谱仪：用于对材料进行极痕量级的元素深度剖析，精确测定掺杂元素或杂质的浓度分布及其均匀性。

7.热波系统：基于光热效应，用于非接触、无损地快速测绘晶圆片的掺杂浓度均匀性、离子注入剂量均匀性及结晶缺陷。

8.晶圆级电学测试系统：集成多路探针卡，可对晶圆上成千上万个测试结构进行自动化电学参数测试，生成参数分布图以评估工艺均匀性。

9.傅里叶变换红外光谱仪：用于分析材料的化学成分、分子结构，并可测量外延层厚度、载流子浓度等参数及其均匀性。

10.高分辨率缺陷检测系统：利用光学或电子束技术，高速、高灵敏度地检测晶圆表面的颗粒、划痕、图形缺陷等，并统计其密度与分布均匀性。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。