因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 衬底材料杂质分析：体金属杂质浓度，表面金属污染，氧含量与碳含量，晶体缺陷密度。

2. 薄膜层杂质检测：介质膜中的金属离子，多晶硅中的掺杂均匀性，金属互联层中的杂质扩散。

3. 工艺化学品残留检测：刻蚀液残留离子，清洗剂有机残留，化学机械抛光浆料颗粒。

4. 颗粒污染物分析：硅片表面颗粒数量与尺寸分布，洁净室环境落尘鉴定，设备腔体内壁剥落物。

5. 气体杂质检测：工艺气体中的微量氧、水分，特种气体中的金属羰基化合物，惰性气体纯度。

6. 光刻胶及相关污染物：光刻胶金属杂质，显影液残留，抗反射涂层成分分析。

7. 电学活性杂质表征：少数载流子寿命，深能级缺陷浓度，界面态密度。

8. 封装材料杂质检测：塑封料离子杂质，焊料金属纯度，键合线表面污染。

9. 可靠性相关杂质评估：可移动离子电荷，经时介质击穿相关污染物，电迁移诱发杂质。

10. 微观结构缺陷与杂质关联分析：位错处的杂质偏聚，晶界杂质析出，界面处杂质团簇。

检测范围

硅抛光片、外延片、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、低介电常数介质、铜互连结构、钨栓塞、铝焊盘、晶圆级封装芯片、系统级封装模块、光掩模版、石英载具、超纯水、高纯化学试剂、特种电子气体、光刻胶、引线框架、陶瓷封装外壳、塑封颗粒、键合金丝

检测设备

1. 电感耦合等离子体质谱仪：用于超痕量金属杂质的定性与定量分析，检测限极低，可进行多元素同时测定。

2. 二次离子质谱仪：用于材料表面及深度方向的微量元素分布分析，具有出色的深度分辨率与灵敏度。

3. 全反射X射线荧光光谱仪：专用于硅片等表面平坦样品的痕量金属污染检测，前处理简单，分析快速。

4. 气相色谱-质谱联用仪：用于鉴定工艺中有机溶剂的残留、分解产物及各类有机污染物。

5. 原子力显微镜：用于纳米尺度表征表面形貌与颗粒污染，可测量颗粒的三维尺寸与分布。

6. 扫描电子显微镜与能谱仪：用于观测微观缺陷形貌并对其中的杂质成分进行定性和半定量分析。

7. 辉光放电质谱仪：用于块体材料从表面到内部的高灵敏度深度剖析，适用于高纯材料杂质普查。

8. 傅里叶变换红外光谱仪：用于检测硅中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度，以及化学键结构分析。

9. 电容-电压测试系统：通过电学测量间接评估绝缘层中的可移动离子电荷密度及其分布。

10. 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：提供高空间分辨率的元素分布成像，适用于封装材料、失效点等局部区域的杂质分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。