因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.蚀刻速率：采用台阶仪测量单位时间材料去除量（nm/min），精度0.5nm
2.均匀性：通过49点测试法计算晶圆内蚀刻速率标准差（%σ）
3.选择比：靶材与掩膜材料的蚀刻速率比值（≥50:1）
4.侧壁角度：SEM测量剖面倾角（88-92）
5.表面粗糙度：AFM分析RMS值（≤0.3nm）
6.残留物分析：EDS检测元素含量（Cl≤50ppm）
7.临界尺寸偏差：CD-SEM测量线宽变化量（3nm）

检测范围

1.半导体材料：硅片（300mm）、碳化硅外延片、GaN晶圆
2.金属材料：铝铜合金互连层、钛/氮化钛阻挡层
3.介质材料：SiO₂层间介质、Low-k多孔薄膜
4.光刻胶：ArF光刻胶（193nm）、EUV光刻胶（13.5nm）
5.硬掩膜：非晶碳膜（厚度200-500nm）、氮化硅应力层

检测方法

1.ASTMF2118-20：等离子体蚀刻速率标准测试方法
2.ISO14606:2015：反应离子蚀刻均匀性评估规范
3.GB/T16535-2021：半导体晶圆表面粗糙度测试规程
4.ASTME2926-17：XPS表面化学成分分析方法
5.GB/T39143-2020：集成电路用硅片蚀刻缺陷检测方法
6.ISO21222:2020：原子层蚀刻工艺表征指南

检测设备

1.KLATencorP-7椭偏仪：实时监测薄膜厚度变化（0.1分辨率）
2.BrukerDektakXT轮廓仪：台阶高度测量（0.1nm垂直分辨率）
3.HitachiRegulus8230CD-SEM：关键尺寸测量（0.6nm像素尺寸）
4.ThermoFisherNexsaXPS系统：表面元素分析（5μm空间分辨率）
5.ParkSystemsNX20AFM：三维形貌重建（0.1nmZ轴精度）
6.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP-MS：等离子体成分在线监测
7.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：剖面制备与成像（1nm分辨率）
8.HoribaLabRAMHREvolutionRaman光谱仪：应力分布分析
9.LeicaDM2700M金相显微镜：宏观缺陷观测（1500放大倍率）
10.KeysightB1500A半导体参数分析仪：电学特性测试（0.1fA分辨率）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。