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多晶硅检测

原创版权 关键字:多晶硅测试案例,多晶硅测试仪器,多晶硅测试范围 相关: 发布时间: 2025-06-16 18:29:28

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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

化学性能检测:

  • 纯度测定:总杂质含量≤1ppm、金属杂质谱(硼≤0.05ppb,参照SEMIMF1724)
  • 元素分析:碳含量≤0.5ppm、氧含量≤1ppm(GB/T14849.1)
  • 气相色谱检测:挥发性杂质(甲硅烷≤0.01%)
物理特性检测:
  • 密度测量:2.329g/cm³±0.001、孔隙率≤0.1%
  • 晶粒尺寸分析:平均尺寸5-50μm、晶界分布(SEMIM59)
  • 表面粗糙度:Ra≤0.1μm(ISO4287)
电学性能检测:
  • 电阻率测试:0.01-100Ω·cm、载流子浓度(SEMIMF723)
  • 载流子寿命:≥100μs、少数载流子扩散长度
  • 霍尔效应测量:迁移率≥100cm²/V·s(ASTMF76)
力学性能检测:
  • 硬度测试:维氏硬度HV1000-1200、抗压强度≥200MPa
  • 断裂韧性:KIC≥1.5MPa·√m(GB/T4161)
  • 拉伸强度:屈服强度≥150MPa
热性能检测:
  • 热导率:≥150W/m·K、热膨胀系数(2.6×10⁻⁶/K)
  • 熔点验证:1414°C±2°C、比热容测量(ISO11357)
  • 热稳定性:重量损失≤0.01%(950°C)
光学性能检测:
  • 反射率测试:≥85%(波长300-1200nm)、透射率(SEMIMF1048)
  • 吸收系数:≤10cm⁻¹、消光系数分析
  • 发光效率:量子产率≥90%(光伏应用)
晶体结构检测:
  • XRD表征:晶格常数5.43ű0.01、取向偏差≤1°
  • 缺陷分析:位错密度≤10⁴/cm²、孪晶界面(ISO16700)
  • 结晶度:≥99%(非晶相含量≤1%)
表面与界面检测:
  • 表面污染:颗粒物≤10个/cm²、有机物残留(SEMIM50)
  • 界面结合强度:粘附力≥10N/mm²
  • 氧化层厚度:≤5nm(椭圆偏振法)
尺寸与形态检测:
  • 颗粒分布:D5050-100μm、跨度≤1.5(ISO13320)
  • 几何尺寸:长度/直径公差±0.1mm、平直度≤0.01mm/m
  • 形状因子:球形度≥0.9
纯度验证检测:
  • 痕量杂质:砷≤0.01ppb、镓≤0.02ppb(参照ASTMF1724)
  • 气体残留:氢气≤1ppm、氩气纯度验证
  • 放射性元素:铀≤0.001ppb(GB/T14506.30)

检测范围

1.半导体级多晶硅:用于集成电路芯片,重点检测超低杂质水平(硼、磷≤0.1ppb)和电学均匀性

2.太阳能级多晶硅:光伏电池原料,侧重成本效益杂质控制(金属杂质≤1ppm)和光学性能优化

3.电子级多晶硅棒:单晶生长前驱体,核心检测晶格完整性和密度均匀性(偏差≤0.5%)

4.多晶硅粉体:用于化工合成,检测重点在颗粒尺寸分布(D90≤200μm)和表面清洁度

5.回收多晶硅:废料再生材料,强调杂质去除率(碳含量≤0.2ppm)和热稳定性验证

6.硼掺杂多晶硅:P型半导体应用,检测电阻率控制(0.1-10Ω·cm)和掺杂均匀性

7.多晶硅晶圆:切片成品,侧重表面缺陷(微裂纹≤0.1μm)和平整度公差±0.02mm

8.多晶硅砂浆废料:切割过程副产品,检测金属污染(铁≤10ppm)和可回收性评估

9.高纯多晶硅靶材:溅射涂层用,重点分析纯度(≥99.999%)和粘附强度

10.多晶硅薄膜:柔性器件基材,检测厚度均匀性(±5nm)和电学性能稳定性

检测方法

国际标准:

  • ASTMF1724-18多晶硅痕量元素分析
  • ISO16700:2019扫描电镜晶体缺陷评估
  • SEMIMF1048-2020光伏硅反射率测试
  • IEC60904-11:2020太阳能硅电学性能测量
  • JISH0605:2015硅材料硬度试验
国家标准:
  • GB/T14849.1-2020工业硅化学分析方法
  • GB/T14506.30-2021硅材料放射性检测
  • GB/T4161-2022金属材料断裂韧性试验
  • GB/T228.1-2021拉伸强度测试(与ASTM应变速率差异:GB采用0.00025/s,ASTM为0.005/s)
  • GB/T13320-2021颗粒尺寸激光衍射法(与ISO精度差异:GB分辨率0.1μm,ISO为0.01μm)

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪:Agilent7900型(检测限0.1ppt,质量范围5-260amu)

2.傅里叶变换红外光谱仪:PerkinElmerSpectrumTwo型(波长范围4000-400cm⁻¹,分辨率4cm⁻¹)

3.扫描电子显微镜:HitachiSU5000型(分辨率0.8nm,加速电压0.5-30kV)

4.X射线衍射仪:BrukerD8Advance型(角度范围5-140°,CuKα辐射)

5.四探针电阻率测试仪:LucasLabsS302型(电阻范围0.001-10kΩ·cm,精度±0.5%)

6.热导率测量仪:NetzschLFA467型(温度范围RT-1600°C,样品尺寸10mmØ)

7.激光粒度分析仪:MalvernMastersizer3000型(尺寸范围0.01-3500μm,湿法分散)

8.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon型(分辨率0.1nm,扫描范围90μm)

9.紫外-可见光谱仪:ShimadzuUV-2600型(波长190-1400nm,带宽1nm)

10.气相色谱仪:Agilent8890型(检测器FID,温度精度±0.1°C)

11.离子色谱仪:ThermoScientificDionexICS-5000+型(检测限0.1ppb,流速0.1-5mL/min)

12.万能材料试验机:Instron3369型(载荷范围0.1-5kN,位移精度±0.5μm)

13.维氏硬度计:WilsonTukon2500型(载荷10-3000gf,压头对角线测量)

14.热重分析仪:TAInstrumentsSDT650型(温度RT-1500°C,重量精度±0.1μg)

15.霍尔效应测试系统:LakeShore8400型(磁场0-2T,电流范围1nA-100mA)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

本文链接:https://www.yjser.com/chengfenjiance/1610.html

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