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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
化学性能检测:
1.半导体级多晶硅:用于集成电路芯片,重点检测超低杂质水平(硼、磷≤0.1ppb)和电学均匀性
2.太阳能级多晶硅:光伏电池原料,侧重成本效益杂质控制(金属杂质≤1ppm)和光学性能优化
3.电子级多晶硅棒:单晶生长前驱体,核心检测晶格完整性和密度均匀性(偏差≤0.5%)
4.多晶硅粉体:用于化工合成,检测重点在颗粒尺寸分布(D90≤200μm)和表面清洁度
5.回收多晶硅:废料再生材料,强调杂质去除率(碳含量≤0.2ppm)和热稳定性验证
6.硼掺杂多晶硅:P型半导体应用,检测电阻率控制(0.1-10Ω·cm)和掺杂均匀性
7.多晶硅晶圆:切片成品,侧重表面缺陷(微裂纹≤0.1μm)和平整度公差±0.02mm
8.多晶硅砂浆废料:切割过程副产品,检测金属污染(铁≤10ppm)和可回收性评估
9.高纯多晶硅靶材:溅射涂层用,重点分析纯度(≥99.999%)和粘附强度
10.多晶硅薄膜:柔性器件基材,检测厚度均匀性(±5nm)和电学性能稳定性
国际标准:
1.电感耦合等离子体质谱仪:Agilent7900型(检测限0.1ppt,质量范围5-260amu)
2.傅里叶变换红外光谱仪:PerkinElmerSpectrumTwo型(波长范围4000-400cm⁻¹,分辨率4cm⁻¹)
3.扫描电子显微镜:HitachiSU5000型(分辨率0.8nm,加速电压0.5-30kV)
4.X射线衍射仪:BrukerD8Advance型(角度范围5-140°,CuKα辐射)
5.四探针电阻率测试仪:LucasLabsS302型(电阻范围0.001-10kΩ·cm,精度±0.5%)
6.热导率测量仪:NetzschLFA467型(温度范围RT-1600°C,样品尺寸10mmØ)
7.激光粒度分析仪:MalvernMastersizer3000型(尺寸范围0.01-3500μm,湿法分散)
8.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon型(分辨率0.1nm,扫描范围90μm)
9.紫外-可见光谱仪:ShimadzuUV-2600型(波长190-1400nm,带宽1nm)
10.气相色谱仪:Agilent8890型(检测器FID,温度精度±0.1°C)
11.离子色谱仪:ThermoScientificDionexICS-5000+型(检测限0.1ppb,流速0.1-5mL/min)
12.万能材料试验机:Instron3369型(载荷范围0.1-5kN,位移精度±0.5μm)
13.维氏硬度计:WilsonTukon2500型(载荷10-3000gf,压头对角线测量)
14.热重分析仪:TAInstrumentsSDT650型(温度RT-1500°C,重量精度±0.1μg)
15.霍尔效应测试系统:LakeShore8400型(磁场0-2T,电流范围1nA-100mA)
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。