因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.载流子浓度检测：电子浓度测定，空穴浓度测定，本征载流子水平分析，表面载流子分布测定。

2.掺杂浓度检测：施主浓度测定，受主浓度测定，总掺杂浓度测定，补偿浓度分析。

3.杂质元素浓度检测：金属杂质浓度测定，轻元素杂质测定，残留污染物浓度分析，痕量杂质筛查。

4.深度分布检测：掺杂深度分布测定，浓度梯度分析，结深测定，界面附近浓度变化测定。

5.面内均匀性检测：晶圆中心与边缘浓度差分析，面内掺杂均匀性测定，局部浓度波动分析，批次一致性评估。

6.电阻率关联检测：体电阻率测定，方块电阻测定，电阻率与浓度换算分析，区域电阻分布测定。

7.迁移率相关检测：载流子迁移率测定，浓度与迁移率耦合分析，温度相关迁移率变化测定，散射影响评估。

8.结区参数检测：扩散结浓度分布测定，离子注入后浓度评估，结区峰值浓度测定，结区均匀性分析。

9.薄膜浓度检测：外延层掺杂浓度测定，多层薄膜浓度分层分析，薄膜杂质含量测定，沉积层面内均匀性评估。

10.表面与界面浓度检测：表面污染浓度测定，氧化层界面杂质分析，钝化层附近浓度变化测定，界面元素富集评估。

11.热处理影响检测：退火后浓度变化测定，扩散行为分析，活化率评估，热处理前后均匀性对比。

12.失效相关浓度检测：异常区域浓度筛查，漏电相关杂质分析，击穿区域掺杂异常评估，工艺偏差引起的浓度失衡分析。

检测范围

硅单晶片、硅外延片、抛光晶圆、扩散片、离子注入片、退火片、化合物半导体晶片、砷化物晶片、氮化物晶片、碳化物晶片、外延薄膜、氧化层晶片、钝化层样品、器件结构片、功率器件芯片、传感器芯片、发光结构片、探测器芯片、半导体靶材、半导体薄膜样品

检测设备

1.霍尔效应测试系统：用于测定载流子浓度、迁移率和导电类型，适用于半导体材料电学参数分析。

2.四探针电阻率测试仪：用于测量体电阻率和方块电阻，可辅助评估掺杂浓度及面内均匀性。

3.二次离子质谱仪：用于分析元素浓度及其深度分布，适合痕量杂质和掺杂剖面测定。

4.扩展电阻测试仪：用于获取截面电阻变化信息，可反映掺杂浓度沿深度方向的分布特征。

5.电容电压测试系统：用于测定结区掺杂分布和载流子浓度，适合界面及结深相关分析。

6.涡流电阻率测试仪：用于非接触测量半导体片电阻率，适合快速筛查浓度均匀性。

7.原子探针分析仪：用于纳米尺度元素分布分析，可表征局部掺杂聚集和界面浓度变化。

8.辉光放电光谱仪：用于元素深度分层分析，可测定薄膜及多层结构中的浓度变化。

9.显微拉曼光谱仪：用于辅助分析应力、载流子变化及局部材料状态，对异常区域筛查具有参考作用。

10.高温电学参数测试装置：用于在受控温度条件下测定浓度相关电学参数，评估热处理和温度变化影响。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。