因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.半导体级氮化硅晶圆放射分析：铀-238活度浓度测定，钍-232活度浓度测定，钾-40活度浓度测定，镭-226及其子体筛查。

2.电子封装用氮化硅基板放射分析：总α放射性活度检测，总β放射性活度检测，特定γ核素能谱分析。

3.氮化硅陶瓷部件放射性核素筛查：天然放射性衰变链核素分析，人工放射性核素铯-137、钴-60筛查。

4.高纯氮化硅粉体放射纯度评估：放射性杂质元素含量分析，放射性活度比测定。

5.光学与窗口器件用氮化硅材料分析：低本底α/β计数测量，伽马能谱全核素分析。

6.耐高温氮化硅结构件放射安全检测：贯穿辐射剂量率评估，表面污染放射性检测。

7.氮化硅涂层与薄膜放射特性测试：涂层中放射性核素面活度测量，薄膜均匀性相关的放射分布分析。

8.用于特殊环境的氮化硅材料分析：中子活化后放射性产物分析，极端条件预处理后的放射稳定性测试。

9.氮化硅原料与烧结助剂放射溯源：硅粉、氮化源等原料的放射性本底调查，助剂引入的放射性贡献评估。

10.氮化硅制品放射性释放评估：氡析出率测量，放射性核素浸出实验。

检测范围

半导体芯片用氮化硅钝化层、氮化硅绝缘膜晶圆、高性能集成电路封装基板、大功率模块用氮化硅陶瓷衬底、光刻机部件用氮化硅陶瓷、轴承与切削工具用氮化硅陶瓷球、发动机热端部件氮化硅涂层、光学窗口用透明氮化硅陶瓷、熔融金属处理用氮化硅坩埚与管材、半导体制造设备用氮化硅夹具与内衬、高纯氮化硅微粉、氮化硅纤维与复合材料、氮化硅烧结体、化学气相沉积氮化硅薄膜、反应烧结氮化硅制品、热压烧结氮化硅块材

检测设备

1.高纯锗伽马能谱仪：用于对样品进行无损伽马能谱分析，精准识别与定量铀系、钍系、钾-40等多种放射性核素；具备高能量分辨率与低本底特点。

2.低本底α/β计数器：用于测量氮化硅样品中总α和总β放射性活度；特别适用于粉末、薄膜等样品的低水平放射性筛查。

3.电感耦合等离子体质谱仪：用于高灵敏度测定氮化硅中痕量的铀、钍、镭等放射性元素含量；前处理需结合微波消解等技术。

4.热释光剂量计读出系统：用于评估氮化硅材料自身放射性的贯穿辐射水平；通过布放剂量计进行长期累积剂量测量。

5.氡钍分析仪：用于测量氮化硅制品在密闭空间内的氡-222析出率；采用静电收集法与α能谱探测技术。

6.微波消解系统：用于对氮化硅陶瓷等难溶样品进行完全、高效的酸消解前处理，确保后续质谱或放射化学分析的准确性。

7.放射化学分离装置：用于对复杂基体的氮化硅样品中特定放射性核素进行化学分离与纯化，以降低干扰并提高测量精度。

8.液体闪烁计数器：适用于测量经过化学分离后，制备成液体样品的低能β核素活度。

9.中子活化分析装置：用于通过中子辐照将氮化硅中的稳定核素转化为放射性核素，进而进行极高灵敏度的元素含量分析。

10.扫描电子显微镜与能谱仪联用系统：用于观察氮化硅材料的微观形貌，并结合能谱进行微区元素分析，辅助定位可能的放射性杂质富集区域。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。