因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

温度特性基础测试：

• 电容温度系数（TCC）：ΔC/C₀per°C（参照IEC60384-14.13）
• 额定温度范围内电容变化率：±5%max（如X7R介质，-55℃~+125℃）

• 85℃/额定电压1000h后TCC偏移：ΔTCC≤±10%initial
• 125℃高温存储后容量恢复率：≥98%（参照MIL-PRF-123）

• -55℃低温电容衰减率：≤15%initialvalue
• 温度循环后容量回滞：ΔC/C_25℃≤±2%（IEC60068-2-14）

• ClassI类陶瓷电容线性度：α±30ppm/℃（EIARS-198）
• ClassII类陶瓷电容非线性偏差：ΔC≤±15%@T_min/T_max

• 1kHz~1MHz频段内TCC波动量：≤±5%
• 谐振频率点电容温度敏感性

• 偏置电压20V时TCC偏移量：ΔTCC≤±20ppm/V
• 叠加偏压下的温度-电容非线性

• 85%RH/85℃1000h潮热后TCC稳定性
• 温度冲击（-65℃↔+150℃）100次循环ΔC变化

• 热机械应力导致的TCC劣化
• 端子焊接热冲击后的容量漂移

• 层压结构微裂纹致TCC异常检测
• 端电极扩散引起的低温TCC偏移

• 电解液冻融导致的低温TCC突变
• 高温下ESR变化对TCC的影响

检测范围

1.ClassI陶瓷电容：C0G/NP0介质，重点检测线性温度系数及超低TCC（±30ppm/℃）

2.ClassII陶瓷电容：X7R/X5R介质，考核宽温域（-55℃~+125℃）非线性TCC允差

3.片式多层陶瓷电容（MLCC）：0402~2220尺寸，监测微裂纹引发的TCC跳变

4.钽电解电容：固态/液态钽，验证低温（-55℃）TCC陡降特性

5.铝电解电容：105℃长寿命型，检测高温负荷后TCC漂移

6.金属化薄膜电容：PET/PP介质，评估温度循环后的TCC回滞

7.超级电容器：双电层结构，测量-40℃~+70℃区间容量衰减率

8.射频微波电容：ATC系列，验证毫米波频段TCC稳定性

9.高压陶瓷电容：Y5U/Y5V介质，考核直流偏压下TCC非线性度

10.温度补偿型电容：特定负TCC特性，验证曲线匹配精度

检测方法

国际标准：

• IEC60384-1:2016固定电容器分规范
• IEC60384-9:2021片式多层陶瓷电容器
• EIARS-198陶瓷介质电容温度特性分类
• MIL-PRF-123高可靠性电容通用规范

• GB/T6346.14-2015电子设备用固定电容器分规范
• GB/T2693-2020低频固定电容器试验方法
• SJ/T10709-2016多层陶瓷电容器温度特性测试

检测设备

1.高低温试验箱：ESPECPCT-102S（温区-70℃~+180℃，精度±0.3℃）

2.精密LCR测试仪：KeysightE4980AL（频率20Hz~2MHz，基本精度0.05%）

3.热冲击试验箱：TASTSE-11-A（转换时间＜10s，温冲范围-65℃~+175℃）

4.温控探针台：CascadeSummit12000B-M（温度控制分辨率0.1℃）

5.自动电容分选机：

6.直流偏压源：Keithley2280S-60-3（电压0~60V，电流0~3A）

7.激光干涉热膨胀仪：LinseisDILL76（热膨胀系数测量精度±0.1ppm/℃）

8.扫描电镜（SEM）：HitachiSU5000（分辨率1nm，热应力裂纹观测）

9.阻抗分析仪：Agilent4294A（频率40Hz~110MHz，TCC频变特性分析）

10.热重分析仪：NETZSCHTG209F3（介质材料分解温度检测）

11.恒温恒湿箱：BinderKBF720（温湿度控制±0.5℃/±2%RH）

12.端子强度测试仪：DAGE4000HS（焊接热冲击模拟）

13.X射线断层扫描：ZeissXradia620（50nm分辨率，多层结构缺陷检测）

14.介电温谱仪：NovocontrolAlpha-A（介电常数温度依赖性测量）

15.红外热成像仪：FLIRT865（热分布图分辨率640×480）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】