因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 衬底材料纯度检测：体金属杂质分析、浅层氧碳含量测定、硼磷掺杂浓度分析、重金属污染物筛查。

2. 外延薄膜成分分析：外延层厚度与元素分布剖析、掺杂元素浓度精确测定、界面杂质污染评估。

3. 工艺化学品杂质检测：高纯酸中金属阳离子含量分析、超纯水中阴离子与颗粒物检测、光刻胶金属杂质控制。

4. 金属互连层成分检测：铜互连线中杂质元素分析、阻挡层薄膜成分与厚度测定、电镀液添加剂及其分解产物检测。

5. 介质层元素分析：氧化硅、氮化硅薄膜中杂质与化学计量比分析、低介电常数材料中碳氢元素含量测定。

6. 晶圆表面污染检测：表面金属污染物全扫描、有机残留物鉴定、颗粒物来源的元素成分分析。

7. 离子注入区表征：注入离子浓度深度分布分析、注入导致的晶格损伤评估、杂质激活率测定。

8. 封装材料元素检测：塑封料中卤素与重金属含量、键合线及焊球成分分析、衬底材料杂质筛查。

9. 高纯气体杂质分析：特种气体中痕量金属杂质、水分、氧含量及颗粒物检测。

10. 靶材与溅射材料纯度检测：高纯溅射靶材主成分与杂质元素分析、合金配比验证。

11. 刻蚀与清洗后残留检测：刻蚀后侧壁聚合物成分分析、清洗后表面金属及非金属残留测定。

12. 失效分析与缺陷诊断：器件缺陷点局部成分剖析、漏电通道元素溯源、腐蚀产物的成分鉴定。

检测范围

硅抛光片与硅外延片、锗晶圆、砷化镓与磷化铟等化合物半导体衬底、硅基外延薄膜、氮化镓外延层、高纯化学试剂、光刻胶与显影液、化学机械抛光液、铜电镀液、铜靶与钛靶等溅射靶材、特种气体、晶圆级封装中介层、键合线、锡银铜焊球、环氧塑封料、陶瓷封装外壳、失效器件截面、工艺腔体内部件

检测设备

1. 电感耦合等离子体质谱仪：用于测定半导体材料中超痕量金属杂质；具备极高的灵敏度与多元素同时分析能力，检出限可达亚纳克每升水平。

2. 辉光放电质谱仪：用于高纯固体材料（如硅锭、靶材）的深度剖析与全元素分析；可对主体成分至痕量杂质进行准确定量。

3. 二次离子质谱仪：用于元素与同位素的表面分析及深度剖析；具有极高的表面灵敏度和深度分辨率，适用于掺杂分布与界面污染研究。

4. 总反射X射线荧光光谱仪：用于晶圆表面金属污染的非破坏性快速筛查；对硅片表面纳米级薄膜中的痕量金属具有优异检测能力。

5. 气相色谱-质谱联用仪：用于高纯气体及工艺化学品中有机杂质与残留物的定性与定量分析。

6. 离子色谱仪：用于高纯水、酸及光刻胶中阴离子杂质、有机酸及胺类化合物的精确测定。

7. 原子吸收光谱仪：用于特定金属元素的常规定量分析，操作简便，在部分化学品杂质检测中应用。

8. 激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：用于固体样品的微区原位元素分析；可对封装材料、缺陷点进行空间分辨的成分测定。

9. 能量色散X射线光谱仪：通常与电子显微镜联用，用于失效分析中缺陷点的快速元素成分定性及半定量分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。