因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.金属元素杂质分析：钠，钾，钙，铁，铜，镍，铬，锌，铝，钛含量测定。

2.轻元素杂质分析：硼，磷，砷，碳，氧，氮，氢含量测定。

3.掺杂元素分布测试：掺杂浓度，纵向分布，横向均匀性，结深分布，表层富集分析。

4.表面离子污染测试：氯离子，氟离子，硫酸根，硝酸根，铵根，钠离子，钾离子残留测定。

5.有机残留污染分析：清洗剂残留，光刻残留，碳氢化合物残留，表面有机膜污染，挥发性残留物分析。

6.颗粒污染检测：颗粒数量，粒径分布，表面颗粒密度，大颗粒缺陷，微粒附着情况分析。

7.薄膜杂质测试：氧化层杂质，氮化层杂质，金属薄膜杂质，介质层污染，薄膜界面杂质分析。

8.晶体缺陷相关杂质评估：位错关联杂质，沉淀杂质，空位相关杂质，杂质偏聚，缺陷区域污染分析。

9.体材料纯度分析：总体杂质含量，痕量元素组成，纯度评估，批次均匀性，材料背景污染分析。

10.外延层杂质检测：外延层掺杂浓度，界面杂质，层间扩散，表面污染，厚度方向杂质分布。

11.湿法工艺残留测试：酸残留，碱残留，清洗后离子残留，腐蚀后污染物，漂洗洁净度评估。

12.封装相关污染分析：焊接残留，封装材料析出物，表面金属迁移污染，离子迁移相关杂质，界面污染物分析。

检测范围

半导体硅片、抛光硅片、外延硅片、绝缘衬底、化合物半导体晶片、单晶硅棒、多晶硅材料、晶圆切片、氧化层样品、氮化层样品、金属薄膜样品、介质薄膜样品、光刻后样品、刻蚀后样品、清洗后样品、扩散后样品、离子注入后样品、封装芯片、引线框架表面样品、工艺槽液残留样品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量金属元素杂质的定量分析，适合多元素同时测定和低含量检出。

2.二次离子质谱仪：用于半导体材料中杂质元素深度分布分析，可表征掺杂浓度变化和界面杂质特征。

3.辉光放电质谱仪：用于固体样品体相杂质分析，适合高纯材料中多种痕量元素测试。

4.原子吸收光谱仪：用于特定金属元素含量测定，适用于原料、萃取液及消解液分析。

5.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子污染物检测，可分析表面提取液中的离子残留。

6.气相色谱仪：用于挥发性有机残留物分析，适合工艺残留和有机污染筛查。

7.液相色谱仪：用于非挥发性有机污染物分离检测，可分析清洗残留及复杂有机组分。

8.傅里叶变换红外光谱仪：用于表面有机物和化学键特征识别，可辅助判断污染物种类。

9.扫描电子显微镜：用于表面颗粒、缺陷形貌及污染附着状态观察，可进行微区分析辅助判定。

10.总有机碳分析仪：用于液体样品或表面萃取液中有机污染水平测定，可评价工艺洁净程度。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。