因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.金属离子迁移检测：钠离子迁移，钾离子迁移，铜离子迁移，银离子迁移，铝离子迁移。

2.表面污染迁移检测：可溶性离子残留，助焊残留迁移，清洗剂残留迁移，有机污染物迁移，颗粒污染扩散。

3.封装材料迁移检测：塑封料析出，底部填充材料迁移，粘结材料渗出，涂覆材料扩散，密封材料释放物迁移。

4.焊接界面迁移检测：焊料元素扩散，界面金属迁移，焊点周边残留迁移，电极表面析出，接合层成分扩散。

5.湿热条件迁移检测：高湿环境离子迁移，冷凝条件表面迁移，吸湿后界面扩散，湿热偏压迁移，水汽诱导污染迁移。

6.偏压电迁移检测：导线间电迁移，电极间枝晶生长，绝缘区漏电迁移，带电表面污染迁移，微间距区域离子导通。

7.热应力迁移检测：高温金属扩散，热循环界面迁移，热老化析出物迁移，局部过热成分迁移，温差驱动元素再分布。

8.薄膜与镀层迁移检测：钝化层元素扩散，阻挡层失效迁移，镀层金属迁移，表面处理层析出，薄膜界面成分渗透。

9.有机挥发物迁移检测：低分子析出，增塑组分迁移，残余溶剂迁移，挥发性冷凝沉积，有机雾化污染。

10.微区污染迁移检测：芯片表面微区污染，键合区残留扩散，焊盘周边离子富集，沟槽区域沉积迁移，边缘区域污染转移。

11.长期存储迁移检测：存储期成分迁移，包装接触污染迁移，静置条件析出扩散，库存环境离子积聚，长期放置界面变化。

12.失效关联迁移检测：漏电失效迁移分析，短路失效迁移分析，腐蚀失效成分追踪，开路失效界面扩散分析，异常沉积来源判定。

检测范围

逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片、功率芯片、射频芯片、传感芯片、控制芯片、裸芯片、封装芯片、倒装芯片、多芯片组件、晶圆级封装样品、引线框架封装样品、球栅阵列封装样品、芯片载板、焊球互连样品、键合线连接样品、底部填充样品、塑封体样品、芯片模组

检测设备

1.离子色谱仪：用于测定样品中可溶性阴离子和阳离子含量，评估离子残留及迁移风险。

2.扫描电子显微镜：用于观察芯片表面、界面及微小区域形貌变化，可识别迁移沉积、枝晶生长和腐蚀特征。

3.能谱分析仪：用于对微区成分进行定性和半定量分析，辅助判定迁移元素来源及分布情况。

4.热循环试验箱：用于模拟温度反复变化环境，评估热应力条件下材料扩散与界面迁移行为。

5.恒温恒湿试验箱：用于模拟高温高湿环境，考察湿热作用下离子迁移、表面导通及污染扩散现象。

6.偏压寿命测试系统：用于在通电条件下施加电应力，检测导体间电迁移、漏电增长和绝缘失效趋势。

7.气相色谱仪：用于分析挥发性有机物及残余溶剂成分，评估有机析出物迁移和冷凝污染情况。

8.傅里叶变换红外光谱仪：用于识别有机残留、聚合物析出物及表面污染物的化学特征。

9.表面绝缘电阻测试仪：用于测量污染和湿热条件下绝缘区域电阻变化，评价迁移引发的导通风险。

10.金相显微镜：用于观察焊点、镀层及截面结构，辅助分析界面扩散、析出层形成和微观缺陷分布。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。