因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.金属杂质分析：铁含量，铜含量，镍含量，铬含量，铝含量，钠含量，钾含量

2.非金属杂质分析：氧含量，碳含量，氮含量，硫含量，磷含量，氯含量，氟含量

3.痕量元素分析：痕量硼测定，痕量砷测定，痕量锑测定，痕量锌测定，痕量钙测定，痕量镁测定

4.掺杂元素分析：硼掺杂浓度，磷掺杂浓度，砷掺杂浓度，锑掺杂浓度，镓掺杂浓度，铟掺杂浓度

5.电学活性杂质分析：施主杂质识别，受主杂质识别，深能级杂质判定，浅能级杂质判定，补偿杂质分析

6.缺陷相关光谱分析：晶格缺陷信号分析，空位缺陷识别，间隙原子判定，位错相关杂质分析，复合缺陷分析

7.表面污染分析：表面金属残留，表面氧化层杂质，颗粒污染成分，清洗残留物分析，薄膜表面吸附杂质分析

8.界面杂质分析：界面元素分布，界面态相关杂质，氧化层界面污染，扩散层杂质迁移分析，异质结界面成分分析

9.载流子特性分析：载流子浓度，载流子迁移率，载流子寿命，电阻率分布，补偿效应分析

10.能级特征分析：陷阱能级测定，复合中心分析，电离能特征分析，杂质能级分布，深浅能级区分

11.薄膜材料杂质分析：导电薄膜杂质含量，绝缘薄膜杂质含量，外延层杂质分布，多层膜间污染分析，薄膜均匀性分析

12.失效关联分析：漏电相关杂质排查，击穿相关杂质分析，接触异常成分分析，性能漂移杂质追溯，老化过程杂质变化分析

检测范围

单晶硅、外延硅片、抛光硅片、半导体晶圆、硅基衬底、化合物半导体、绝缘薄膜、导电薄膜、介质薄膜、金属薄膜、电子级硅料、电子级化学品残留物、扩散层样品、离子注入样品、氧化层样品、封装材料、引线框架、电极材料、芯片截面样品、电子元件材料

检测设备

1.光谱分析仪：用于测定材料中杂质元素的光谱响应特征，支持定性识别与含量分析。

2.质谱分析仪：用于痕量杂质元素检测，适合低含量成分的识别与分布研究。

3.红外光谱仪：用于分析晶体中氧、碳等非金属杂质及相关化学键特征。

4.拉曼光谱仪：用于表征晶格结构变化、应力状态及缺陷相关光谱信号。

5.荧光光谱仪：用于分析特定杂质和缺陷中心的发光响应，辅助判定能级特征。

6.霍尔效应测试仪：用于测定载流子浓度、迁移率及导电类型，反映电学杂质影响。

7.电阻率测试仪：用于测量材料电阻率及其分布情况，评估掺杂均匀性与纯度水平。

8.深能级分析仪：用于识别材料中的深能级缺陷与电学活性杂质，分析陷阱特征。

9.表面分析仪：用于检测样品表面及近表层污染成分，评估表面杂质状态。

10.显微成像系统：用于观察微区缺陷、表面形貌及局部异常区域，辅助杂质来源分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。