因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电阻特性检测：体电阻率，方块电阻，接触电阻，导通电阻，电阻温度特性。

2.载流子参数检测：载流子浓度，迁移率，载流子类型，霍尔系数，载流子分布均匀性。

3.电流电压特性检测：正向电流电压特性，反向电流电压特性，漏电流，开启电压，击穿电压。

4.电容特性检测：结电容，寄生电容，电容电压特性，电容频率特性，界面电容响应。

5.介电性能检测：介电常数，介质损耗，绝缘电阻，介质击穿强度，介电频率响应。

6.界面电学特性检测：界面态密度，固定电荷，氧化层电荷俘获，界面陷阱响应，表面电势变化。

7.击穿与耐压性能检测：反向耐压，栅极耐压，绝缘层击穿，雪崩击穿特性，电场承受能力。

8.温度电学特性检测：高温导电特性，低温导电特性，温度漂移，热激发响应，温变漏电特性。

9.脉冲与瞬态电学检测：脉冲导通响应，瞬态电流响应，开关延迟，恢复特性，电学瞬变稳定性。

10.绝缘与隔离性能检测：绝缘电流，表面绝缘性能，体绝缘性能，隔离耐受能力，电学泄漏路径分析。

11.栅极电学特性检测：阈值电压，栅漏电流，跨导，栅极稳定性，栅介质响应。

12.可靠性电学检测：偏压稳定性，长期通电漂移，循环应力电学变化，湿热后电性能变化，老化后参数保持性。

检测范围

碳化硅单晶、碳化硅外延片、碳化硅衬底、碳化硅晶圆、碳化硅薄膜、碳化硅电阻器件、碳化硅二极管、碳化硅晶体管、碳化硅功率模块芯片、碳化硅肖特基器件、碳化硅结型器件、碳化硅绝缘结构样品、碳化硅栅极结构样品、碳化硅高温电子器件、碳化硅电学实验片

检测设备

1.参数测试仪：用于测量电流、电压、电阻等基础电学参数；可完成器件静态电性能表征。

2.霍尔效应测试系统：用于分析载流子浓度、迁移率和载流子类型；适用于半导体材料电输运性能评估。

3.探针测试台：用于对晶片或微小样品进行电学接触测量；适合局部电性能测试与分布分析。

4.高阻计：用于测量高电阻、绝缘电阻和微弱漏电流；适用于绝缘性能与泄漏特性评估。

5.电容测试仪：用于测量电容及其随电压、频率变化的响应；可用于结电容和界面特性分析。

6.耐压测试装置：用于开展耐压、击穿及绝缘承受能力测试；可评估样品在高电场下的电学稳定性。

7.阻抗分析仪：用于测量复阻抗、介电响应和频率特性；适用于介电性能及界面响应研究。

8.脉冲电学测试系统：用于获取样品在脉冲条件下的导通和恢复行为；适合瞬态电学特性分析。

9.恒温测试装置：用于控制测试环境温度；可开展高温、低温及温度循环条件下的电性能测量。

10.半导体特性分析系统：用于综合测量器件的电流电压、电容电压及阈值等参数；适合材料与器件电学特性综合评价。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。