因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电阻率均匀性：面内电阻率分布，批次电阻率波动，局部高阻区识别，局部低阻区识别。

2.方块电阻均匀性：方块电阻测定，表面导电一致性分析，区域差异评估，边缘与中心对比。

3.载流子浓度均匀性：载流子浓度分布，面内浓度偏差，批次浓度一致性，局部异常区分析。

4.迁移率均匀性：载流子迁移率分布，面内迁移率变化，区域迁移率差异，迁移率稳定性评估。

5.导电类型一致性：导电类型判定，面内导电类型分布，导电类型转换区识别，异常导电区域分析。

6.电流响应均匀性：电流分布测试，区域电流响应差异，微区导通一致性，局部电流异常识别。

7.电压响应均匀性：电压分布测量，区域电位差分析，电压响应稳定性，局部电压波动评估。

8.接触电学一致性：接触电阻分布，接触界面导通性，点位接触稳定性，不同区域接触差异。

9.漏电特性均匀性：漏电流分布，局部漏电异常识别，面内漏电一致性，边缘漏电特征分析。

10.击穿相关分布特性：局部击穿倾向分析，耐压分布特征，弱点区域识别，异常电场响应评估。

11.缺陷电学影响评估：微缺陷导电影响，位错相关电学异常，缺陷聚集区响应分析，缺陷与参数波动关联。

12.温度相关电学均匀性：不同温度下电阻变化，温度响应一致性，热激发导电差异，温度漂移分布。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延片、碳化硅抛光片、碳化硅导电型晶片、碳化硅半绝缘型晶片、碳化硅晶锭切片、碳化硅薄片、碳化硅器件芯片、碳化硅二极管芯片、碳化硅晶体样块、碳化硅测试片、碳化硅功率器件片、碳化硅研发样品、碳化硅工艺片、碳化硅小尺寸试样

检测设备

1.四探针测试仪：用于测定样品表面电阻和方块电阻，适合评估面内导电均匀性与区域差异。

2.霍尔效应测试系统：用于测量载流子浓度、迁移率和导电类型，可分析关键电学参数的分布特征。

3.电阻率测试仪：用于获取体电阻率数据，支持多点测量与均匀性评价。

4.半导体参数分析仪：用于测试电流电压响应、漏电行为和接触特性，适合精细电学性能分析。

5.探针台：用于实现晶片多点电接触测试，支持微区定位测量和不同区域对比分析。

6.电学映射系统：用于对晶片表面进行多点扫描，形成电学参数分布图，用于识别异常区域。

7.恒温测试装置：用于控制测试环境温度，开展温度相关电学均匀性测量和漂移分析。

8.微区电流测试装置：用于检测局部导通行为和微小电流变化，适合发现细微不均匀区域。

9.高阻测试仪：用于测量高电阻样品或局部高阻区域，适用于半绝缘特性分析。

10.数据采集与分析系统：用于汇总多点测试结果，完成参数统计、分布分析和均匀性评价处理。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。