因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.表面形貌检测：划痕、凹坑、颗粒污染、崩边、表面粗糙度。

2.晶格缺陷分析：位错密度、堆垛层错、微管道、晶界缺陷。

3.几何参数测量：厚度偏差、总厚度公差、翘曲度、弯曲度、平整度。

4.电学性能评估：电阻率分布、载流子浓度、迁移率、禁带宽度。

5.杂质含量分析：氧含量、碳含量、深能级杂质分布。

6.光学特性测试：光致发光峰值波长、发光强度均匀性、半高宽。

7.界面质量评价：外延层厚度、界面粗糙度、层间陡峭度。

8.结构完整性检测：微裂纹、解理面质量、晶体取向偏差。

9.热学性质分析：热膨胀系数、热导率分布、热稳定性。

10.掺杂均匀性检测：掺杂元素径向分布、载流子纵向剖面分布。

检测范围

砷化镓单晶片、砷化镓外延片、半绝缘砷化镓晶圆、半导体型砷化镓晶圆、两英寸砷化镓衬底、四英寸砷化镓衬底、六英寸砷化镓衬底、抛光片、研磨片、切割片、刻蚀片、图形化晶圆、多层异质结外延片、掺硅砷化镓晶圆、掺铬砷化镓晶圆、低位错密度晶圆、大尺寸砷化镓材料

检测设备

1.扫描电子显微镜：观察晶圆表面微纳米级别的形貌特征与微小物理缺陷。

2.射线衍射仪：分析晶体结构、晶格常数以及晶体生长质量的完整性。

3.原子力显微镜：测量晶圆表面的纳米级粗糙度及微观三维形貌。

4.光致发光光谱仪：通过光学激发评估材料的光学能带结构及杂质能级信息。

5.四探针测试仪：用于测量半导体材料表面的电阻率及其分布均匀性。

6.激光扫描共聚焦显微镜：获取高分辨率的表面深度信息与非接触式缺陷图像。

7.霍尔效应测试系统：精确测定材料的载流子类型、浓度及电荷迁移率。

8.表面轮廓仪：测量晶圆的平整度、翘曲度及宏观表面起伏状况。

9.红外显微镜：利用红外穿透特性检测晶圆内部的应力分布与微裂纹。

10.二次离子质谱仪：分析材料内部微量元素的深度分布剖面及杂质浓度。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。