因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.晶圆全局平整度：总指示读数，局部平整度，翘曲度，弯曲度。

2.晶圆纳米形貌：表面粗糙度，周期性起伏，局部滑移线密度。

3.薄膜表面平整度：薄膜沉积后表面轮廓，薄膜应力导致的形变，台阶覆盖均匀性。

4.化学机械抛光后平整度：抛光区域与非抛光区域的高度差，碟形凹陷，腐蚀侵蚀。

5.光刻对准层平整度：光刻胶涂层均匀性，显影后图形侧壁陡直度，套刻精度影响评估。

6.外延层表面平整度：外延生长层表面原子级平整度，生长缺陷引起的突起或凹坑。

7.封装基板平整度：有机基板或陶瓷基板的共面性，焊盘区域高度一致性。

8.硅通孔与再布线层平整度：通孔开口平面度，再布线层表面起伏，微凸点共面性。

9.键合界面平整度：晶圆级键合或芯片键合前的表面平整度，界面空隙评估。

10.光掩模版平整度：掩模基板表面形貌，图形区与非图形区的高度差。

11.化合物半导体晶圆平整度：砷化镓、氮化镓等材料的晶格翘曲与弯曲。

12.临时键合与解键合后平整度：载体移除后薄晶圆的应力形变恢复情况。

检测范围

硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅晶圆、砷化镓晶圆、氮化镓晶圆、碳化硅衬底、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、金属互连层、低介电常数介质层、化学机械抛光后晶圆、涂胶后晶圆、显影后晶圆、封装用有机基板、陶瓷基板、玻璃基板、芯片中介层、铜柱凸块、微机电系统结构片

检测设备

1.激光干涉平整度仪：用于测量晶圆全局平整度与翘曲；基于非接触式激光干涉原理，可快速获取全晶圆的等高线图。

2.白光干涉仪：用于高分辨率的三维表面形貌测量；通过白光干涉条纹分析，适用于薄膜、微结构及粗糙度的纳米级精度检测。

3.原子力显微镜：用于原子级分辨率的表面形貌与粗糙度测量；通过探针与表面原子间作用力成像，适用于极小区域的精细分析。

4.光学轮廓仪：用于非接触式测量表面台阶高度与轮廓；采用相移干涉或共聚焦技术，测量速度较快，垂直分辨率高。

5.电容式测厚与平整度仪：用于测量薄膜厚度及其均匀性，间接评估平整度；通过电容变化感知探头与样品间距离。

6.接触式表面轮廓仪：用于测量表面轮廓曲线与粗糙度；通过金刚石探针划过表面进行接触式测量，适用于特定线条的剖面分析。

7.激光扫描共聚焦显微镜：用于高反光或透明样品的三维表面成像与测量；利用共聚焦原理消除杂散光，提升成像对比度与分辨率。

8.X射线衍射应力分析仪：用于间接评估由薄膜应力引起的晶圆翘曲与形变；通过测量晶格畸变来计算应力大小与分布。

9.表面张力接触角测量仪：用于评估表面能均匀性，间接反映化学均匀性与微观平整度；通过分析液滴在表面的接触角实现。

10.纳米压痕仪：用于测量薄膜的机械性能及其均匀性，辅助分析应力导致的平整度变化；通过记录压入过程的载荷-位移曲线计算模量与硬度。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。