因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.材料成分分析：主元素组成，杂质元素含量，掺杂分布，表面污染物，氧化层成分。

2.微观形貌检测：表面形貌，截面形貌，孔洞缺陷，裂纹分布，颗粒沉积状态。

3.晶体结构表征：晶型分析，结晶完整性，晶格缺陷，晶界特征，取向分布。

4.界面状态分析：金属与碳化硅界面状态，界面扩散行为，界面反应层厚度，界面结合完整性，界面缺陷分布。

5.电学性能检测：体电阻率，接触电阻，漏电流，击穿特性，载流能力。

6.热学性能检测：热导特性，热扩散行为，热阻变化，热稳定性，热应力响应。

7.电磁迁移评估：迁移通道识别，离子迁移行为，金属原子迁移趋势，空洞形成特征，枝晶生长风险。

8.可靠性试验分析：通电老化，偏压应力，高温负载，循环应力，失效前兆特征。

9.失效模式分析：开路失效，短路失效，局部过热，接触退化，层间剥离。

10.表面与涂层检测：钝化层完整性，电极层均匀性，镀层厚度，附着状态，腐蚀痕迹。

11.机械完整性检测：硬度，脆性特征，残余应力，翘曲程度，微裂纹敏感性。

12.环境适应性分析：湿热影响，温度冲击响应，腐蚀环境敏感性，绝缘稳定性，长期储存稳定性。

检测范围

碳化硅晶圆、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、碳化硅二极管、碳化硅场效应器件、碳化硅模块、碳化硅衬底、碳化硅芯片、电极金属层、源极结构、漏极结构、栅极区域、钝化层、封装互连结构、焊接连接部位、引线连接区域、高温服役样品、老化后器件样品

检测设备

1.扫描电子显微镜：用于观察碳化硅样品表面与截面的微观形貌，识别裂纹、孔洞、迁移痕迹等特征。

2.能谱分析仪：用于检测微区元素组成与分布，分析杂质富集、界面扩散及迁移相关元素变化。

3.射线衍射仪：用于表征晶体结构与物相组成，评估晶型特征、结晶状态及结构变化。

4.拉曼光谱仪：用于分析晶格振动、应力状态及材料结构均匀性，辅助判断局部损伤与应力集中。

5.探针电学测试系统：用于测定电阻率、接触电阻和导电特性，评估器件导电路径稳定性。

6.参数测试仪：用于测试电流电压特性、漏电行为及击穿响应，分析电学退化过程。

7.热分析仪：用于测定热稳定性、热响应和热行为变化，评价高温条件下的材料表现。

8.红外热成像仪：用于监测通电过程中的温度分布与局部发热点，识别潜在失效区域。

9.离子束制样设备：用于精细制备局部截面样品，便于开展界面、层间和缺陷区域的深入分析。

10.恒温恒湿试验设备：用于模拟湿热与偏压耦合环境，评估电磁迁移及环境应力下的可靠性变化。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。