因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1. 纯度检测：

• 氮气纯度：氧含量≤1ppm、水分含量≤0.5ppm（参照ISO 8573）
• 硅片杂质含量：金属杂质≤1ppm、碳含量≤5ppm

• 抗弯强度：屈服强度≥100MPa
• 硬度：维氏硬度HV≥800
• 断裂韧性：KIC≥1.5MPa·m¹/²

• 电阻率：0.1-10Ω·cm
• 载流子浓度：≥1e16/cm³
• 少子寿命：≥100μs

• 表面粗糙度：Ra≤0.1μm
• 划痕检测：尺寸≤1μm、深度≤0.5μm

• 热膨胀系数：2.5-4.5×10⁻⁶/K
• 热导率：≥100W/m·K
• 热稳定性：温度循环-40°C至150°C无裂纹

• 厚度均匀性：偏差±0.5μm
• 平面度：≤0.01mm

• 掺杂浓度：硼/磷含量0.1-1.0wt%
• 氧含量：≤5ppm

• 晶体缺陷：位错密度≤1000/cm²
• 微裂纹检测：长度≤10μm

• 氮气环境耐腐蚀性：质量损失≤0.1%
• 湿度影响：电阻变化≤5%

• 开路电压：≥0.6V
• 短路电流：≥40mA/cm²
• 填充因子：≥0.75

检测范围

1. 单晶硅片： 重点检测晶体缺陷和电学均匀性，确保高纯度和少子寿命稳定性

2. 多晶硅片： 侧重晶界影响和热稳定性，优化加工性能和机械强度

3. N型硅片： 检测掺杂均匀性和电阻率，提升电池效率

4. P型硅片： 关注杂质分布和表面特性，保证电学参数一致性

5. 薄片硅片（厚度<180μm）： 侧重机械强度和抗弯能力，防止加工变形

6. 厚片硅片： 检测热膨胀系数和环境稳定性，优化热管理

7. 表面处理硅片： 重点评估表面粗糙度和抗反射性能，增强光吸收

8. 掺杂硅片： 检测杂质残留和浓度偏差，确保电气性能

9. 回收硅片： 侧重杂质残留和缺陷检测，提升材料利用率

10. 定制硅片： 根据特定要求检测尺寸精度和热性能，满足客户应用

检测方法

国际标准：

• ISO 14644-1 洁净室空气洁净度分级
• ASTM F1249 硅片电阻率测试方法
• ISO 7500-1 金属材料拉伸试验
• ASTM E112 晶粒度测定
• ISO 4287 表面粗糙度测量

• GB/T 6495 光伏器件测试方法
• GB/T 228.1 金属材料拉伸试验
• GB/T 4340.1 金属维氏硬度测试
• GB/T 13301 材料热膨胀系数测定
• GB/T 2828 抽样检验程序

检测设备

1. 氮气分析仪： N2Pure-1000（检测限0.1ppm，精度±0.05ppm）

2. 厚度测量仪： ThickScan Pro（测量范围10-500μm，精度±0.1μm）

3. 光谱仪： SpectraMaster 500（检测限0.01ppm，波长范围200-800nm）

4. 拉力测试机： ForceTester 300（载荷范围0.1-500N，精度±0.5%）

5. 电阻率测试仪： ResistCheck Pro（测量范围0.01-100Ω·cm，精度±0.2%）

6. 显微镜： MicroScope HD（放大倍数1000X，分辨率0.1μm）

7. 热分析仪： ThermoAnalyzer 200（温度范围-100°C至300°C，精度±0.5°C）

8. 环境试验箱： EnviroChamber Pro（温控范围-40°C至150°C，湿度范围10-95%）

9. X射线衍射仪： XRayDiffract 100（角度范围5-80°，精度±0.01°）

10. 电化学工作站： ElectroWork Pro（电流范围1nA-1A，电压范围-10V至10V）

11. 激光扫描仪： LaserScan 3D（扫描精度±0.5μm，速度100mm/s）

12. 气体色谱仪： GasChromato 600（分离效率≥5000理论板数，检测限0.1ppm）

13. 硬度计： HardnessMeter HV（载荷范围1-100kgf，精度±1%）

14. 表面粗糙度仪： SurfaceRough Tester（测量范围Ra 0.01-10μm，精度±0.02μm）

15. 少子寿命测试仪： CarrierLife Pro（测量范围1-1000μs，精度±2%）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。