因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

电磁性能检测：

• 共振频率：偏差值≤±0.1GHz（参照IEC61967-4）
• 插入损耗：≤2dB（带宽≥50GHz）
• 带宽：≥60GHz

• 剪切强度：≥50MPa
• 热膨胀系数：α≤10ppm/°C
• 杨氏模量：≥100GPa

• 介电常数：εr=3.5±0.1
• 损耗角正切：tanδ≤0.001
• 热导率：≥150W/(m·K)

• 温度漂移：±0.01GHz/°C
• 老化率：≤0.5ppm/year
• 相位噪声：≤-100dBc/Hz@100kHz

• 最大输入功率：≥20dBm
• 压缩点：IP1dB≥15dBm
• 谐波失真：≤-40dBc

• 热循环：-55°C至125°C，1000次循环（参照JESD22-A104）
• 湿度抵抗：85°C/85%RH，1000小时
• 振动测试：加速度10gRMS，频率范围5-2000Hz

• 返回损耗：≥15dB
• 隔离度：≥30dB
• 群延迟：≤10ps

• 线宽公差：±0.1μm
• 厚度变化：≤1%
• 位置偏差：≤0.5μm

• 粗糙度：Ra≤0.1μm（参照ISO4287）
• 涂层附着力：Grade5B
• 缺陷密度：≤10/cm²

• 泄漏率：≤1×10⁻⁸mbar·L/s
• 气密性：符合MIL-STD-883
• 热冲击：-65°C至150°C，50次循环

检测范围

1.硅基太赫兹芯片：重点检测晶圆级材料纯度、电介质均匀性及频率响应稳定性

2.GaAs基太赫兹芯片：突出功率处理能力、热管理效率及高频谐波抑制

3.InP基太赫兹芯片：侧重相位噪声控制、线性度优化及环境适应性验证

4.陶瓷封装太赫兹芯片：聚焦密封性测试、机械强度评估及信号隔离性能

5.塑料封装太赫兹芯片：强调湿热老化耐受性、尺寸稳定性及成本效益分析

6.太赫兹传感器芯片：检测灵敏度阈值、动态范围精度及噪声系数一致性

7.太赫兹滤波器芯片：核心评估带外抑制比、插入损耗一致性及温度漂移补偿

8.太赫兹放大器芯片：重点验证增益平坦度、压缩点稳定性及互调失真控制

9.太赫兹振荡器芯片：突出调谐范围宽度、频率稳定性及功耗效率检测

10.太赫兹收发器芯片：聚焦收发隔离度、调制精度及多通道串扰分析

检测方法

国际标准：

• ISOJianCe52-11:2021电磁兼容性车辆部件测试方法
• IEC62321-8:2017电子电气产品有害物质测定
• IEEE1785.1:2022太赫兹器件测试标准

• GB/T17626-2018电磁兼容性试验和测量技术
• GB/T2423-2016电工电子产品环境试验
• GB/T18656-2017微波与射频器件测试方法

检测设备

1.太赫兹网络分析仪：PNA-X型（频率范围325GHz-500GHz，动态精度±0.1dB）

2.频谱分析仪：FSW67型（分辨率带宽1Hz，相位噪声-140dBc/Hz）

3.矢量信号发生器：PSG8267D型（输出功率+13dBm，调制带宽40GHz）

4.温度试验箱：TCV-142型（温度范围-70°C至180°C，均匀度±0.5°C）

5.振动试验台：Model95型（加速度10gRMS，频率上限2000Hz）

6.金相显微镜：BX53型（放大倍数1000×，分辨率0.5μm）

7.探针台：Summit12000B型（位置精度0.1μm，接触力范围0.01-50g）

8.信号发生器：SMW200A型（频率范围100kHz-40GHz，调制深度±50%）

9.功率计：N8480A型（量程-70dBm至+44dBm，校准精度±0.02dB）

10.阻抗分析仪：4294A型（阻抗范围40Hz-110MHz，误差±0.08%）

11.热像仪：A655sc型（分辨率640×480，热灵敏度20mK）

12.激光测振仪：PSV-500型（速度范围0.01μm/s至20m/s，频率分辨率0.1Hz）

13.电子显微镜：SU8000型（分辨率1nm，放大倍数100000×）

14.湿度试验箱：WK3-180/40型（湿度范围10%RH至98%RH，控制精度±2%RH）

15.封装测试仪：4000型（推力范围0.1N-50N，位移精度0.01μm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。