因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.晶体结构参数：位错密度（≤500cm⁻）、晶格常数（0.5657910.000005nm）、单晶取向偏差（＜0.5）
2.电学性能：电阻率（0.1-50Ωcm）、载流子浓度（110-510⁶cm⁻）、霍尔迁移率（≥2000cm/(Vs)）
3.表面特性：表面粗糙度Ra（＜1nm）、平面度（λ/4@632.8nm）、划痕宽度（≤20μm）
4.几何尺寸：厚度公差（5μm）、直径偏差（0.1mm）、翘曲度（≤50μm/100mm）
5.光学性能：红外透过率（≥45%@8-12μm）、折射率均匀性（Δn＜510⁻⁴）
6.杂质含量：氧浓度（≤110⁶atoms/cm）、金属杂质总量（＜1ppm）

检测范围

1.单晶锗片：直拉法（CZ）或区熔法（FZ）制备的<111>/<100>晶向基板
2.多晶锗材料：化学气相沉积（CVD）制备的红外窗口材料
3.红外光学元件：热压成型锗透镜、非球面镜片
4.半导体器件基材：辐射探测器用高纯锗（HPGe）晶圆
5.光伏材料：空间太阳能电池用锗衬底片
6.镀膜锗片：增透膜/硬质膜层结合力与耐久性测试

检测方法

1.ASTMF43-99(2020)：半导体材料电阻率四探针测试法
2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定痕量杂质
3.GB/T5237-2022：非接触式激光干涉仪表面形貌测量
4.JISH0605-1996：X射线衍射摇摆曲线法测定晶体完整性
5.MIL-PRF-48616：红外光学材料透过率测试规范
6.GB/T32281-2015：半导体晶片几何尺寸测量方法
7.ASTME112-13：金相法测定平均晶粒度
8.ISO14644-1:2015：洁净室环境颗粒物控制标准

检测设备

1.KDY-1型四探针电阻测试仪：测量范围0.001-10000Ωcm，精度2%
2.RigakuSmartLabX射线衍射仪：高分辨率HRXRD分析晶体缺陷
3.BrukerContourGT-K光学轮廓仪：0.1nm垂直分辨率表面形貌测量
4.Agilent5500原子力显微镜：纳米级表面粗糙度与缺陷分析
5.PerkinElmerLambda1050分光光度计：紫外-近红外波段透过率测试
6.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：ppb级金属杂质定量分析
7.NikonMM-400测量显微镜：500倍放大尺寸偏差检测
8.ZygoVerifire干涉仪：λ/100精度平面度与面形误差测量
9.KeysightB1500A半导体参数分析仪：载流子浓度与迁移率测试
10.LeicaDM8000M金相显微镜：自动图像分析位错密度统计

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。