因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.反向击穿电压（V_BR）：测试PN结反向偏置时的临界击穿电压值（500-3000V）
2.正向压降（V_F）：额定电流下正向导通电压测量（0.7-1.5V）
3.漏电流（I_R）：反向偏置时泄漏电流测试（≤10μA@25℃）
4.温度特性：工作温度范围内（-40℃~+150℃）参数漂移量测定
5.绝缘电阻：端子与外壳间绝缘电阻值（≥100MΩ@500VDC）

检测范围

1.电力系统用高压硅整流堆（10kV/500A级）
2.轨道交通车辆牵引变流器模块
3.电化学工业用大功率整流装置
4.光伏逆变器配套整流二极管组件
5.汽车发电机用桥式整流器总成

检测方法

1.GB/T15291-2015《半导体器件分立器件和集成电路》第6部分整流二极管
2.IEC60747-5:2007《半导体分立器件和集成电路》整流二极管测试规范
3.ASTMF1096-1987(2018)硅整流器热特性测试标准
4.GB/T4937-2018《半导体器件机械和气候试验方法》
5.ISO16750-2:2012道路车辆电气电子设备环境条件试验

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A高功率测试
2.Chroma19032功率半导体测试系统：动态特性分析（trr≤100ns）
3.TektronixDMM4040六位半数字万用表：μA级漏电流测量
4.TH2839精密LCR数字电桥：结电容C_j测量（1pF-100mF）
5.ESPECPL-3KPH温度冲击试验箱（-70℃~+180℃）
6.HipotronicsACW-20kV交流耐压测试仪
7.FlukeTi450红外热像仪（热分布分析）
8.HT-9020高压绝缘电阻测试仪（1000VDC/500GΩ）
9.GWInstekAPS-1102可编程交直流电源
10.OmicronBode100频响分析仪：阻抗特性测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。