因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.晶体取向偏差：测量双斜轴与理论角度的偏离值（0.05精度）
2.晶格常数测定：分析a/b/c轴间距（分辨率0.001）
3.表面粗糙度：Ra值范围0.1-50nm（符合ISO4287）
4.缺陷密度统计：位错密度≤10/cm（电子显微镜观测）
5.热膨胀系数：温度范围-196℃~1200℃（ΔL/L≤110⁻⁶/℃）

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)单晶衬底
2.光学晶体元件：氟化钙(CaF₂)、蓝宝石(Al₂O₃)窗口片
3.压电材料：α-石英晶体谐振器
4.激光晶体：掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)
5.超硬材料：人造金刚石(CVD)基板

检测方法

1.ASTMF47-08：X射线衍射法定量晶体取向
2.ISO12737:2010：电子背散射衍射(EBSD)分析
3.GB/T1555-2021：半导体单晶晶向测试规范
4.ISO14707:2015：辉光放电质谱元素分析
5.GB/T20314-2017：激光干涉法表面形貌测量

检测设备

1.PANalyticalX'Pert3MRDX射线衍射仪：全自动θ-2θ扫描系统
2.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：空间分辨率10nm
3.ZygoNewView9000激光干涉仪：垂直分辨率0.1nm
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：扫描范围90μm90μm
5.FEIScios2DualBeam聚焦离子束系统：束流精度1pA-65nA
6.NetzschDIL402C热膨胀仪：升温速率0.001-50K/min
7.KeyenceVHX-7000数码显微镜：5000万像素超景深成像
8.Agilent7900ICP-MS：检出限低至ppt级
9.LeicaDM8000M偏光显微镜：正交偏光干涉对比
10.JEOLJSM-7900F场发射电镜：分辨率0.8nm@15kV

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。