因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.位错密度测量：量化单位体积内位错线总长度（单位：m/m），分辨率达10⁸m⁻
2.位错分布形态分析：包括均匀分布、网状结构及胞状结构的形貌特征识别
3.滑移系统激活判定：基于Burgers矢量方向测定（精度0.1nm）与滑移面指数标定
4.位错运动阻力测试：通过临界分切应力测量（范围0.1-500MPa）评估钉扎效应
5.位错增殖机制研究：统计弗兰克-里德源激活数量及空间分布规律

检测范围

1.金属结构材料：铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、镍基高温合金（Inconel718）
2.半导体单晶材料：硅晶圆（<111>/<100>取向）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（4H-SiC）
3.陶瓷基复合材料：氧化铝增强铝基（Al₂O₃/Al）、碳化硅纤维增强钛基（SiC/Ti）
4.超导材料：钇钡铜氧（YBCO）薄膜、铌三锡（Nb₃Sn）线材
5.纳米结构材料：等通道转角挤压（ECAP）铜、高压扭转（HPT）镍

检测方法

1.ASTME3-11：金相试样制备标准（电解抛光参数控制0.05V）
2.ISO25498:2018：透射电镜位错分析规程（选区衍射标定误差≤0.5）
3.GB/T3949-2021：X射线衍射线形分析法（半高宽测量精度0.005）
4.ISO24173:2009：电子背散射衍射（EBSD）晶体取向测定法
5.GB/T38823-2020：高分辨透射电镜（HRTEM）原子尺度缺陷表征规范

检测设备

1.FEITecnaiG2F20TEM：配备双倾样品台（30），点分辨率0.19nm
2.BrukerD8ADVANCEXRD：Cu靶Kα辐射（λ=0.15406nm），测角仪精度0.0001
3.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：离子束加速电压30kV，定位精度5nm
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD：Hough分辨率≥70，采集速率3000点/秒
5.HysitronTI950纳米压痕仪：载荷分辨率1nN，位移分辨率0.02nm
6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计：载荷范围10-1000gf，压痕自动测量系统
7.GatanModel651低周疲劳试验机：应变控制精度0.1%，频率范围0.001-10Hz
8.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：信息极限70pm，STEM-HAADF探测器
9.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD：配置高温附件（最高1600℃），气氛可控
10.LeicaEMRES102离子减薄仪：加速电压1-8kV可调，冷却液温度-120℃

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。