因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.晶体结构参数：晶格常数（0.01）、超晶格周期厚度（精度0.1nm）
2.成分分布测定：元素浓度梯度（分辨率0.5at%）、界面扩散系数（误差≤3%）
3.界面特性分析：界面粗糙度（RMS＜0.3nm）、层间匹配度（失配率≤0.2%）
4.缺陷表征：位错密度（＜10^6/cm）、层错能（测量范围0.1-10J/m）
5.电学性能测试：载流子迁移率（10^2-10^5cm/Vs）、量子阱态密度（5%精度）

检测范围

1.III-V族半导体超晶格：GaAs/AlGaAs、InGaAs/InP等异质结材料
2.二维材料异质结：石墨烯/hBN、MoS2/WS2等范德华超晶格
3.氧化物超晶格：SrTiO3/LaAlO3、BiFeO3/SrRuO3等多铁材料
4.磁性超晶格：Fe/Cr、Co/Pt等自旋电子学材料
5.拓扑绝缘体超晶格：Bi2Se3/(Bi,Sb)2Te3等量子材料体系

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426（小角XRD）、GB/T23413-2009（高分辨XRD）
2.透射电子显微术：ISO25498:2018（STEM-EELS）、GB/T23414-2009（HRTEM）
3.二次离子质谱：ISO18114:2021（深度剖析）、GB/T32281-2015（界面分析）
4.原子力显微镜：ISO11039:2012（表面形貌）、ASTME2859（电学AFM）
5.拉曼光谱法：ISO20310:2018（应变分析）、GB/T36065-2018（层间耦合）

检测设备

1.高分辨透射电镜：JEOLJEM-ARM300F（原子级成像，球差校正STEM）
2.X射线衍射仪：BrukerD8Discover（微区XRD，平行光路系统）
3.聚焦离子束系统：ThermoFisherHeliosG4UX（截面制备，10nm定位精度）
4.飞行时间二次离子质谱：ION-TOFTOF.SIMS5（亚微米级深度分辨率）
5.低温强磁场探针台：LakeShoreCRX-6.5K（1.5K低温环境，9T磁场强度）
6.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（PeakForceTapping模式）
7.分子束外延原位分析仪：RiberCompact21D（实时RHEED监控）
8.X射线光电子能谱仪：ThermoScientificK-Alpha+（微区XPS＜10μm）
9.低温霍尔效应系统：QuantumDesignPPMS-9T（1.8-400K变温测试）
10.飞秒激光光谱系统：NewportTRIAX550（时间分辨率＜100fs）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。