因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.反向击穿电压（V_BR）：测试范围0-3000V1%，判定阈值误差≤2%
2.正向导通压降（V_F）：测量电流10A-500A0.5%，温度补偿范围-55℃~175℃
3.反向恢复时间（t_rr）：测试频率1MHz5%，时间分辨率0.1ns
4.漏电流（I_R）：测量精度0.1nA@25℃，最大测试电压120%V_BR
5.结电容（C_j）：测试频率1kHz-10MHz0.2%，偏置电压0-100V可调

检测范围

1.硅基扩散结整流器（Si-PNJunction）
2.碳化硅肖特基整流器（SiC-SBD）
3.砷化镓微波整流器件（GaAsPIN）
4.金属封装功率整流模块（TO-247/TO-220）
5.表面贴装平面型整流器（SMA/SMB封装）

检测方法

1.ASTMF1234-19：半导体器件反向特性测试规程
2.IEC60747-5:2020：分立器件电参数测量规范
3.GB/T4586-2017：半导体器件热特性测试方法
4.ISO16750-4:2018：汽车电子器件环境试验标准
5.GB/T4937-2018：半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A脉冲测试
2.TektronixMSO646GHz示波器：动态特性波形采集
3.Chroma19032耐压测试系统：AC/DC绝缘强度试验
4.ThermoStreamT-2600温度冲击箱：-65℃~+200℃温变测试
5.AgilentE4980ALCR表：1MHz精密电容测量
6.FLIRA655sc红外热像仪：热分布成像分辨率640480
7.HIOKIRM3545微电阻计：0.01μΩ分辨率接触电阻测试
8.ESPECSH-642湿热试验箱：95%RH湿度控制精度
9.DAGEXD7500VRX射线检测仪：封装结构无损分析
10.KLASurfscanSP5缺陷检测系统：晶圆级表面缺陷扫描

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。