因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.静态特性：V_DS(on)导通电阻（0.5-100mΩ）、I_DSS漏源漏电流（≤10μA@V_DS=600V）
2.动态特性：t_d(on)开通延迟（10-100ns）、t_r上升时间（20-200ns）、Q_rr反向恢复电荷（50-500nC）
3.热阻参数：R_thJC结壳热阻（0.1-1.5K/W）、R_thJA结环热阻（10-50K/W）
4.绝缘性能：V_ISO隔离耐压（2000-5000VAC/min）、绝缘电阻（≥10GΩ@500VDC）
5.可靠性测试：HTRB高温反向偏置（150℃/1000h）、PCT压力锅试验（121℃/100%RH/96h）

检测范围

1.硅基功率MOSFET半桥模块（600-1700V/50-800A）
2.SiCMOSFET碳化硅半桥组件（1200-3300V/20-200A）
3.IGBT智能功率模块（IPM）半桥单元
4.车规级电机驱动半桥电路板
5.光伏逆变器用高频半桥拓扑结构

检测方法

1.IEC60747-9:2019半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管
2.GB/T29332-2012半导体器件分立器件和集成电路热阻抗测试方法
3.JEDECJESD24-10功率循环试验标准
4.MIL-STD-750F方法1026高温反偏试验
5.ISO16750-4道路车辆电气电子设备环境条件第4部分：气候负荷

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪（200A/3kV脉冲测试）
2.TektronixDPO7054C数字示波器（5GHz带宽/40GS/s采样率）
3.Chroma19032功率循环测试系统（ΔT_j监测精度1℃）
4.ESPECPL-3KPH气候试验箱（温控范围-70℃~+180℃）
5.HiokiST5520表面电阻测试仪（10³-10¹⁶Ω量程）
6.FlukeTi480红外热像仪（640480分辨率/1℃热灵敏度）
7.Agilent4294A精密阻抗分析仪（40Hz-110MHz频率范围）
8.ThermoScientificCL24导热系数测试仪（0.001-20W/mK量程）
9.HBMGenesisHighSpeed数据采集系统（200kHz同步采样）
10.SchleifringHS30高速滑环（传输带宽DC-30MHz）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。