因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.位错密度测定：通过透射电镜（TEM）或X射线衍射（XRD）测量单位体积内位错线长度（cm⁻量级）
2.位错分布形态分析：采用电子通道衬度成像（ECCI）表征滑移带、位错网络的空间拓扑结构
3.位错类型鉴别：利用弱束暗场成像技术区分刃型位错、螺型位错及混合型位错
4.位错运动特性测试：通过原位拉伸-电子背散射衍射（EBSD）联用系统测量临界分切应力（MPa量级）
5.界面位错表征：采用高分辨透射电镜（HRTEM）分析相界/晶界处位错的Burgers矢量（nm量级）

检测范围

1.金属结构材料：钛合金/镍基高温合金的蠕变损伤评估
2.半导体单晶材料：硅/砷化镓晶片的加工缺陷检测
3.陶瓷基复合材料：碳化硅纤维增强相的界面位错分析
4.纳米结构金属：超细晶铜的位错增殖机制研究
5.薄膜涂层材料：物理气相沉积（PVD）涂层的残余应力关联位错表征

检测方法

1.ASTME112-13：基于金相法的晶粒度与位错密度关联分析方法
2.ISO25498:2018：微束分析-电子背散射衍射定量位错密度测量规程
3.GB/T13298-2015：金属显微组织检验方法的位错蚀坑计数法
4.ASTMF1811-97(2021)：半导体材料位错蚀刻检验标准
5.ISO24173:2009：微束分析-电子通道衬度成像（ECCI）技术导则

检测设备

1.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜：原子级分辨率下Burgers矢量测定
2.ThermoScientificApreo2扫描电镜：配备EBSD系统的原位变形观测模块
3.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：Williamson-Hall法计算平均位错密度
4.GatanK3-IS相机：高速低剂量TEM成像用于动态位错追踪
5.HysitronPI88PicoIndenter：纳米压痕同步采集位错形核载荷数据
6.ZeissCrossbeam550FIB-SEM：三维断层重构技术解析位错空间分布
7.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：亚微米级空间分辨率取向分析
8.Brukere-FlashHREBSD系统：全自动菊池带标定与几何必要位错计算
9.HummingbirdScientific原位拉伸台：TEM内实时观测位错运动行为
10.MalvernPanalyticalEmpyreanX射线平台：全场衍射技术绘制宏观位错密度图谱

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。