因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.数据完整性测试：存储单元错误率≤110⁻⁹/bit，位翻转率≤310⁻/小时
2.电气性能测试：工作电压范围5%容差，静态电流≤50μA@3.3V
3.环境适应性测试：温度循环(-55℃~125℃,100次)，湿度(85%RH@85℃,168h)
4.寿命验证测试：擦写次数≥10⁵次(EEPROM)，数据保持≥10年@25℃
5.物理特性检测：封装剪切强度≥40N/mm，引脚焊接空洞率≤15%

检测范围

1.掩模ROM(MROM)：工厂预编程不可改写存储器
2.可编程ROM(PROM)：OTP型一次性写入器件
3.紫外线擦除ROM(EPROM)：窗口式可重复编程芯片
4.电擦除ROM(EEPROM)：字节级可改写存储单元
5.FlashROM：NAND/NOR架构大容量存储器件

检测方法

1.数据完整性验证：ASTMF978-19存储介质可靠性评估规程
2.电气参数测试：GB/T15878-2022半导体存储器测试方法
3.环境试验：JESD22-A104F温度循环标准/IEC60068-2-78恒定湿热
4.耐久性评估：JEDECJESD22-A117E擦写寿命试验规范
5.失效分析：GB/T4937-2018半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：IV/CV特性曲线测量
2.AdvantestT2000存储器测试系统：并行位线功能验证
3.ThermoStreamT-2600温度冲击试验箱：-70℃~+225℃温变控制
4.ESPECSH-641恒温恒湿箱：10%~98%RH湿度调节精度2%
5.Dage4000HS推拉力测试机：0.01N分辨率封装强度测定
6.OlympusMX63金相显微镜：5000倍焊点形貌分析
7.XJTAGXVC-P4边界扫描仪：JTAG接口功能诊断
8.Chroma3380P程控电源：0.05%电压精度动态加载
9.TektronixDPO7254示波器：2.5GHz带宽时序信号捕获
10.HANWAHIR-1000红外热像仪：15μm分辨率热分布成像

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。