因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.写入延迟时间：测量地址有效到数据稳定时间窗口（tWL），典型范围10ns-200ns

2.数据保持特性：验证断电后数据保留时长（≥10年@85℃）

3.电压波动容限：测试VDD10%波动下的写入成功率（≥99.999%）

4.温度循环耐受：-40℃至125℃交变环境下写入误码率（BER≤1E-9）

5.时序裕度分析：建立/保持时间余量测量（tIS/tIH≥0.5ns）

检测范围

1.NAND闪存芯片及固态存储模块

2.DRAM动态随机存取存储器模块

3.FRAM铁电随机存取存储器晶圆

4.MRAM磁阻式随机存取存储器件

5.汽车电子级EEPROM存储单元

检测方法

1.ASTMF2182-19：半导体存储器数据保持能力测试标准

2.JESD22-A117E：电子器件环境应力测试规范

3.GB/T26248-2021：半导体存储器电参数测试方法

4.ISO26262-8:2018：汽车电子功能安全验证流程

5.IEC60749-25:2021：半导体器件机械和气候试验方法

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：执行DC-IV特性曲线测量

2.TektronixMSO648GHz示波器：进行高速时序信号采集分析

3.AdvantestT5503HS存储测试系统：支持DDR5/LPDDR5协议验证

4.ThermoStreamT-2900温度冲击箱：实现-80℃至+225℃快速温变

5.Chroma3380P功率放大器：提供5%VDD动态扰动电源

6.XcerraSLT-8880系统级测试机：完成芯片封装后功能验证

7.NIPXIe-4143源测量单元：实现多通道并行参数测试

8.ESPECSH-261恒温恒湿箱：执行85℃/85%RH加速老化试验

9.FormFactorCM300xi探针台：实施晶圆级参数特性分析

10.AgilentN6705C直流电源分析仪：监测动态电流波动特性

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。