因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.晶体取向偏差：测量实际晶轴与理论方向的偏离角度（0.5以内）
2.晶界角度分布：统计相邻晶粒间界面夹角（2-60范围）
3.位错密度分析：量化单位面积位错线数量（10^4-10^8/cm精度）
4.织构系数计算：评估多晶体择优取向强度（ODF分析精度0.01）
5.亚晶粒尺寸测定：识别亚结构单元尺寸（50nm-10μm分辨率）

检测范围

1.单晶硅片（半导体器件基材）
2.高温合金叶片（航空发动机热端部件）
3.多晶金属板材（冷轧钢板/铝箔加工件）
4.半导体薄膜涂层（GaN/Al₂O₃异质结）
5.陶瓷基复合材料（SiC纤维增强钛基体）

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME1426标准测定宏观织构
2.电子背散射衍射：ISO24173规范执行微区取向分析
3.中子衍射法：GB/T39487-2020测定大体积样品统计取向
4.同步辐射劳厄成像：ISO/TS21432实现三维晶体重构
5.透射电镜选区衍射：GB/T35031-2018完成纳米级位错表征

检测设备

1.X射线衍射仪（PANalyticalEmpyrean）：配备Crossbeam光学系统，实现0.002步进扫描
2.场发射扫描电镜（ThermoScientificApreo2S）：搭载EDAXHikariEBSD探头，空间分辨率达3nm
3.透射电子显微镜（JEOLJEM-ARM300F）：球差校正系统支持原子级位错观察
4.中子衍射谱仪（中国散裂中子源BL20）：波长范围0.1-6覆盖重元素分析
5.X射线三维显微镜（ZEISSXradia620Versa）：50nm分辨率实现三维晶体重构
6.激光共聚焦显微镜（OlympusLEXTOLS5000）：405nm激光源测量表面织构形貌
7.高温原位平台（AntonPaarDHS1100）：支持1600℃环境下的动态取向监测
8.聚焦离子束系统（TESCANGAIA3）：实现微区样品制备与EBSD联用分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。