因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.表面元素分析：能量范围0-2000eV，束流1-50nA
2.深度剖析：溅射速率0.1-10nm/min（Ar+离子枪），深度分辨率0.5nm
3.化学态识别：能量分辨率≤0.6%@1000eV
4.横向分布成像：扫描步长≤10nm，最大扫描区域500500μm
5.界面污染分析：检出限≥0.1at%，深度定位精度2nm

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片、III-V族化合物界面污染分析
2.金属及合金：不锈钢钝化膜、铝合金氧化层成分表征
3.薄膜涂层：PVD/CVD镀层厚度及元素梯度测定
4.纳米材料：量子点表面修饰层化学态分析
5.高分子材料：聚合物表面添加剂分布研究

检测方法

ASTME827-20《俄歇电子能谱元素鉴定标准规程》
ISO18118:2022《表面化学分析-俄歇电子能谱定量分析》
GB/T26533-2011《俄歇电子能谱分析方法通则》
GB/T35053-2018《微束分析俄歇电子能谱化学位移分析方法》
ISO20903:2019《表面化学分析-俄歇电子能谱重复性和一致性验证》

检测设备

1.PHI700Xi：配备同轴电子枪（空间分辨率6nm）和半球型能量分析器
2.ThermoScientificESCALABXi+：集成微聚焦单色化X射线源（MX650）
3.ULVAC-PHISAM650：配置FEG电子枪（加速电压1-30kV）
4.JEOLJAMP-9500F：支持FIB联用三维元素重构功能
5.SPECSFlexAES：模块化设计兼容多种离子源（Ar+/C60+）
6.OmicronNanoSAM：超高真空系统（基础真空≤510⁻⁰mbar）
7.RBDInstrumentsAugerProbe：快速成像模式（每秒1000像素）
8.KratosAXISSupra：双束电荷中和系统（适用于绝缘体分析）
9.STAIBInstrumentsDESA100：延迟线检测器（DLD）时间分辨测量功能
10.VGScientaSES-2002：多通道探测系统（同时采集全能量范围数据）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。