因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.带隙宽度测定：测量范围0.5-6.0eV，精度0.01eV

2.载流子浓度分析：覆盖10^14-10^19cm^-3量级

3.光吸收系数测试：波长范围200-2500nm

4.光致发光光谱分析：分辨率≤0.1nm

5.电子迁移率测量：测试条件300-4K温区

检测范围

1.III-V族半导体材料（GaAs、InP等）

2.II-VI族化合物（CdTe、ZnSe等）

3.钙钛矿光伏材料（MAPbI3、CsPbBr3等）

4.量子点发光器件（CdSe/ZnS核壳结构等）

5.二维半导体材料（MoS2、WS2单层膜）

检测方法

ASTME1801-21：紫外可见分光光度法测定光学带隙

ISO14707:2021：X射线光电子能谱法表征电子结构

GB/T35031-2018：半导体材料光致发光测试规范

GB/T1551-2021：霍尔效应测试载流子浓度标准

ISO21270:2020：椭圆偏振光谱法测量复折射率

检测设备

1.AgilentCary7000紫外可见近红外分光光度计：支持透射/反射双模式测量

2.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：空间分辨率达0.5μm

3.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：配备LynxEye阵列探测器

4.Keithley4200A-SCS半导体参数分析系统：支持四探针法电阻率测试

5.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器：温度控制精度0.1K

6.ThermoScientificESCALABXi+XPS系统：单色化AlKαX射线源

7.J.A.WoollamM-2000V椭圆偏振仪：光谱范围190-1700nm

8.EdinburghInstrumentsFLS1000荧光光谱仪：时间分辨率达200ps

9.LakeShore8404霍尔效应测试系统：磁场强度达1.8T

10.RenishawinViaQontor共聚焦显微镜：XYZ定位精度0.1μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。