因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电流增益（hFE）：测试条件Ic=10mA/Vce=3V时β值范围50-300
2.击穿电压（BV_CEO）：测量集电极-发射极反向耐压≥15V@I_C=1μA
3.漏电流（I_CEO）：常温下反向漏电流≤10nA@V_CE=5V
4.热阻（R_thJC）：结壳热阻≤15℃/W@P_diss=2W
5.频率特性：特征频率f_T≥30GHz@V_CE=3V/I_C=20mA

检测范围

1.SiGe异质结双极晶体管
2.InP基高频HBT器件
3.GaAsHBT功率放大器芯片
4.陶瓷/金属封装HBT模块
5.微波毫米波通信用HBT阵列

检测方法

1.电参数测试：ASTMF1707-2018半导体器件直流参数标准
2.热特性分析：JEDECJESD51-14瞬态热测试法
3.可靠性验证：GB/T15878-2018半导体器件耐久性试验
4.高频特性测量：IEC60749-27微波S参数测试规范
5.失效分析：ISO14647半导体器件破坏性物理分析

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持2000V/1000A参数测试
2.ThermoScientificMAP1500热阻测试系统：分辨率0.01℃/W
3.R&SZNB40矢量网络分析仪：频率范围10MHz-40GHz
4.TektronixDPO73304S示波器：30GHz带宽波形采集
5.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级测试
6.ESPECPL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃
7.SonixHS1000超声扫描显微镜：缺陷检测精度10μm
8.BrukerContourGT-X3光学轮廓仪：三维形貌测量
9.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：fA级漏电流测试
10.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统：纳米级失效分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。