因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.表面元素分析：能量分辨率≤0.5eV@5kV，探测深度2-5nm
2.薄膜厚度测量：精度0.1nm（厚度＜100nm）
3.晶体取向测定：角度分辨率0.1
4.掺杂浓度测试：灵敏度≥110⁶atoms/cm
5.界面缺陷检测：最小可识别缺陷尺寸10nm
6.三维重构分析：层析分辨率Z轴2nm

检测范围

1.半导体材料：硅基芯片、GaN外延片、碳化硅衬底
2.金属合金：高温合金晶界分析、钛铝基复合材料
3.纳米材料：量子点阵列、二维材料层间结构
4.光学薄膜：AR镀膜层厚度梯度测量
5.生物材料：钙磷涂层结晶度分析
6.超导材料：YBCO薄膜氧空位分布

检测方法

1.SIMS（二次离子质谱）：ASTME1504/GB/T17359
2.FIB-TEM（聚焦离子束透射电镜）：ISO21363/GB/T35031
3.AES（俄歇电子能谱）：ISO18118/GB/T26533
4.RBS（卢瑟福背散射谱）：ASTME673/GB/T41762
5.TOF-SIMS（飞行时间二次离子质谱）：ISO22048/GB/T36401
6.LEED（低能电子衍射）：IEC60749-35/GB/T35097

检测设备

1.TOF.SIMS5-100型飞行时间二次离子质谱仪：深度剖析与有机成分分析
2.FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统：纳米级截面制备与TEM样品加工
3.PHI710扫描俄歇微探针：10nm空间分辨率元素成像
4.CAMECAIMS7f-auto磁式二次离子质谱仪：ppb级痕量元素检测
5.KratosAXISSupraX射线光电子能谱仪：化学态分析与价带谱测量
6.ORIONNanoFab氦离子显微镜：0.35nm分辨率表面成像
7.JEOLJIB-4700F场发射离子束系统：高精度三维重构功能
8.BrukerQuantaxRBS卢瑟福背散射谱仪：非破坏性深度浓度分析
9.SPECSPhoibos150电子能量分析器：角分辨光电子能谱测量
10.ThermoFisherScios2DualBeam双束电镜系统：同步EDS成分分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。