因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.霍尔系数（HallCoefficient）：测量范围110⁻至110⁻⁵m/C
2.载流子浓度（CarrierConcentration）：分辨率110⁰cm⁻
3.迁移率（Mobility）：精度3%@300K
4.电阻率（Resistivity）：量程0.1mΩcm至100kΩcm
5.温度依赖性（TemperatureDependence）：-196℃至300℃温控精度0.5K

检测范围

1.半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等单晶/多晶材料
2.磁性材料：铁氧体、钕铁硼(NdFeB)永磁体
3.薄膜材料：ITO透明导电膜、二维材料（石墨烯/MoS₂）
4.电子元件：霍尔传感器芯片、磁阻器件
5.新能源材料：钙钛矿太阳能电池层、锂离子电池电极材料

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：半导体材料霍尔效应测试标准方法
2.ISO17614:2019：金属材料载流子迁移率测定规程
3.GB/T13388-2017：霍尔效应法测量非晶合金电阻率
4.GB/T14264-2021：半导体单晶霍尔系数测试技术条件
5.VanderPauw法：四探针非接触式测量薄片样品

检测设备

1.LakeShore8404系列霍尔效应测试系统：支持0.05T-2T磁场强度调节
2.Keithley2450源表：提供μV级电压分辨率与nA级电流输出
3.OxfordInstrumentsTeslatronPT：超导磁体系统（最大磁场14T）
4.AgilentB1500A半导体分析仪：集成高低温探针台（-55℃至150℃）
5.JanisST-500低温恒温器：实现液氦温区（4.2K）精确测量
6.NanometricsHL5500PC：全自动晶圆级霍尔参数测绘系统
7.KeysightB2902A精密源表：双通道同步采样功能
8.MMRTechnologiesK-20变温控制器：温度稳定性0.01K
9.FourDimensionsFD-HE1000：四线法电阻率测量模块
10.BrukerEM-HF3电磁铁系统：三维磁场均匀度0.5%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。