因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.能级结构分析：测量量子限域能级间距（0.1-10meV），精度0.05meV
2.载流子浓度检测：范围110^15-110^19cm^-3，误差≤3%
3.势垒高度测定：AlGaAs/GaAs体系典型值200-400meV
4.界面粗糙度表征：原子层分辨率（≤0.1nmRMS）
5.激子束缚能测试：II-VI族材料典型值10-60meV

检测范围

1.III-V族半导体异质结（GaAs/AlGaAs,InGaAs/InP）
2.二维电子气材料（HEMT结构）
3.量子点/量子阱复合结构
4.超晶格材料（周期5-50nm）
5.拓扑绝缘体/半导体异质界面

检测方法

1.光致发光谱（PL）：依据ISO18554:2017表面分析标准
2.电容-电压特性（C-V）：执行GB/T14264-2021半导体测试规范
3.透射电子显微镜（TEM）：参照ASTME2809-22界面分析标准
4.霍尔效应测试：符合GB/T1551-2021半导体材料测试方法
5.X射线衍射（XRD）：采用ISO22262-3:2020晶体结构分析规程

检测设备

1.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：表面形貌与电势分布测量
2.OxfordInstrumentsOptistatCF低温恒温器（4K-300K）
3.KeysightB1500A半导体参数分析仪：I-V/C-V特性测试
4.HoribaLabRAMHREvolution显微拉曼光谱仪：应变与组分分析
5.FEITitanThemis双球差校正电镜：原子级界面表征
6.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统：载流子迁移率测量
7.Agilent4156C精密源表：纳米尺度输运特性测试
8.AndorSR-500i光谱成像系统：时间分辨荧光光谱采集
9.VeecoDektakXT台阶仪：薄膜厚度测量（0.1nm分辨率）
10.RIGAKUSmartLabX射线衍射仪：晶体结构与应变分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。