因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.载流子迁移率：测量空穴/电子迁移速率（单位：cm/Vs），采用场效应晶体管法或空间电荷限制电流法。

2.禁带宽度（Eg）：通过紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）测定光学带隙（范围：1.0-3.5eV）。

3.薄膜均匀性：表面粗糙度≤2nm（原子力显微镜AFM），厚度偏差5%（椭圆偏振仪）。

4.热稳定性：热重分析（TGA）测定分解温度（Td≥300℃），差示扫描量热法（DSC）分析玻璃化转变温度（Tg）。

5.界面接触电阻：四探针法测量电极-半导体界面电阻（≤10Ωcm）。

检测范围

1.聚合物半导体材料：P3HT、PTAA等共轭高分子薄膜。

2.小分子半导体材料：并五苯、C60衍生物单晶/多晶薄膜。

3.OLED发光层材料：Ir(ppy)3磷光掺杂体系。

4.有机光伏材料（OPV）：PM6:Y6体异质结活性层。

5.柔性电子器件：可拉伸有机场效应晶体管（OFET）组件。

检测方法

1.ASTMF76-08(2020)：场效应晶体管法测定载流子迁移率。

2.ISO18930:2020：紫外光电子能谱（UPS）分析功函数与能级结构。

3.GB/T32672-2016：椭圆偏振仪测量薄膜厚度与折射率。

4.ISO11358-1:2022：热重分析（TGA）评估热分解特性。

5.GB/T43567-2023：原子力显微镜（AFM）表征表面形貌与粗糙度。

检测设备

1.Keithley4200-SCS半导体参数分析仪：支持IV/CV曲线测试与迁移率计算。

2.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪：晶体结构分析（分辨率≤0.01）。

3.AgilentCary7000紫外可见近红外分光光度计：光学带隙测量（波长范围175-3300nm）。

4.NetzschSTA449F5同步热分析仪：TGA/DSC联用（温度精度0.1℃）。

5.ParkNX20原子力显微镜：非接触模式表面形貌扫描（Z轴分辨率0.1nm）。

6.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：化学结构鉴定（空间分辨率≤1μm）。

7.KeysightB1500A器件分析仪：高频C-V特性测试（频率至10MHz）。

8.J.A.WoollamM-2000V椭圆偏振仪：薄膜厚度测量（精度0.1nm）。

9.FourDimensions四探针测试仪：方块电阻测量（量程0.1mΩcm至100MΩcm）。

10.OxfordInstrumentsOptistatDN2低温恒温器：变温电学测试（温度范围4K-500K）。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。