因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电阻率测定：测量范围110^-6~110¹⁴Ωcm（四探针法/范德堡法）

2.介电常数与损耗角正切：频率范围20Hz~1MHz（平板电容法）

3.击穿场强测试：直流/交流条件下0~100kV/mm耐压性能

4.载流子迁移率：霍尔效应测试系统（温度范围77K~500K）

5.热导率分析：稳态法测量0.1~2000W/(mK)

检测范围

1.半导体材料：硅片、GaAs晶圆、碳化硅衬底

2.绝缘介质：环氧树脂覆铜板、聚酰亚胺薄膜

3.导电材料：银浆、石墨烯复合材料

4.磁性元件：铁氧体磁芯、非晶合金带材

5.电子陶瓷：压电陶瓷（PZT）、微波介质陶瓷

检测方法

ASTMF84-2016半导体材料电阻率标准测试方法

IEC60250-1969固体绝缘材料介电性能测量规范

GB/T1409-2006绝缘材料工频击穿电压试验方法

ISO22007-2:2015瞬态平面热源法热导率测定

GB/T13301-2017金属材料霍尔系数测试通则

检测设备

1.Keithley4200A-SCS参数分析仪：实现纳安级电流分辨率与微伏级电压测量

2.Agilent4294A阻抗分析仪：支持40Hz~110MHz宽频介电特性测试

3.HipotronicsDC-100kV高压发生器：满足IEC60243绝缘强度试验要求

4.LinseisLFA1000激光闪射仪：非接触式热扩散系数测量系统

5.LakeShore8404霍尔效应测试系统：配备0.55T永磁体与低温恒温器

6.MitsubishiChemicalMCP-PD51四探针电阻仪：自动温度补偿功能（-50℃~300℃）

7.NetzschDIL402C热膨胀仪：同步测定热膨胀系数与热导率

8.ThermoScientificNicoletiS50FTIR：红外光谱法分析介质极化特性

9.ZEM-3热电性能测试系统：塞贝克系数与电导率同步测量装置

10.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持μs级脉冲I-V特性测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。