因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

检测项目

1.电性能测试：击穿电压（0-10kV）、漏电流（1nA-10mA）、导通电阻（0.1mΩ-100kΩ）、阈值电压（0.5-5V）
2.热性能分析：热阻（0.1-50℃/W）、结温（-55℃-200℃）、热膨胀系数（1-10ppm/℃）
3.封装可靠性：剪切强度（5-50N）、气密性（氦泄漏率≤110⁻⁸Pam/s）、湿度敏感等级（MSL1-6）
4.材料成分：掺杂浓度（110⁴-110⁰atoms/cm）、金属层厚度（10nm-10μm）、氧含量（≤110⁶atoms/cm）
5.微观结构：晶格缺陷密度（≤100defects/cm）、线宽精度（5nm）、界面粗糙度（Ra≤0.5nm）

检测范围

1.半导体材料：硅单晶片（100/150/200mm）、碳化硅衬底、氮化镓外延片
2.集成电路芯片：逻辑芯片（28nm-5nm制程）、存储芯片（DRAM/NANDFlash）、功率器件（IGBT/MOSFET）
3.封装材料：环氧树脂模塑料（CTE5-20ppm/℃）、焊锡球（SnAgCu系直径0.1-0.76mm）、陶瓷基板（Al₂O₃/AlN）
4.光电子器件：LED芯片（波长380-850nm）、激光二极管（输出功率5-500mW）、光电探测器（响应度0.5-1.2A/W）
5.MEMS器件：加速度计（量程2g-200g）、陀螺仪（零偏稳定性≤10/h）、压力传感器（0-100MPa）

检测方法

1.电性能测试：IEC60749-3（高温反偏试验）、JESD22-A108F（静电放电测试）
2.失效分析：GB/T4937-2018（半导体器件机械气候试验方法）、IPC/JEDEC-9704A（板级跌落试验）
3.材料表征：ASTMF1529（二次离子质谱深度剖析）、ISO14606:2015（X射线光电子能谱分析）
4.热特性测试：JEDECJESD51-14（瞬态热阻抗测量）、GB/T2423.22-2012（温度变化试验）
5.可靠性验证：MIL-STD-883KMethod1015（稳态寿命试验）、GB/T2423.17-2008（盐雾试验）

检测设备

1.KeysightB1500A半导体分析仪：支持IV/CV/脉冲测试，分辨率达0.1fA/0.5μV
2.ThermoFisherTalosF200X透射电镜：0.12nm点分辨率，配备SuperX能谱系统
3.NetzschDSC214Polyma差示扫描量热仪：温度范围-170℃-700℃，灵敏度0.04μW
4.Agilent4300手持式LIBS光谱仪：可检测Li-U元素，检出限达ppm级
5.BrukerContourGT-X3光学轮廓仪：垂直分辨率0.01nm，扫描速度50μm/s
6.ESPECTAS-64S三综合试验箱：温度范围-70℃+180℃，振动频率5-2000Hz
7.HiokiIM3590化学阻抗分析仪：频率范围0.01Hz-200kHz，基本精度0.05%
8.ZeissSigma500场发射电镜：配备EBSD系统，空间分辨率1nm@15kV
9.AdvantestT2000测试系统：支持128通道并行测试，时钟精度10ps
10.MettlerToledoTGA/DSC3+同步热分析仪：最大称重30g，温度范围25℃-1600℃

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。