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因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
1. 漏源击穿电压(V(BR)DSS):测试范围500-2000V ±1%精度
2. 阈值电压(VGS(th)):测量范围1-10V ±0.05V分辨率
3. 导通电阻(RDS(on)):量程0.1mΩ-10Ω ±0.5%基本精度
4. 开关时间参数:上升时间tr(10-90%) ≤50ns ±2ns误差
5. 热阻(RθJC):测量范围0.1-5℃/W ±3%重复性
1. 硅基MOSFET(平面/沟槽结构)
2. IGBT模块(单管/复合封装)
3. GaN HEMT功率器件
4. SiC MOSFET分立器件
5. 智能功率模块(IPM)
1. ASTM F1243-2018《半导体热瞬态测试方法》
2. IEC 60747-9:2019《分立器件测试规范》
3. GB/T 4587-2020《半导体器件开关特性测试》
4. JEDEC JESD24-12B《功率MOSFET参数测试》
5. GB/T 17573-2021《半导体器件电压/电流特性测试》
1. Keysight B1505A功率器件分析仪:支持3000V/1000A脉冲测试
2. Tektronix DMM6500数字万用表:6½位高精度电阻测量
3. Chroma 19032功率循环测试系统:ΔTj控制精度±0.5℃
4. FLIR X8580红外热像仪:1280×1024分辨率热分布成像
5. Agilent N6705C直流电源:100kHz动态负载响应能力
6. Hioki PW3390功率分析仪:0.06%基波精度功率损耗测试
7. Thermo Scientific CL6导热仪:ASTM D5470标准热导率测量
8. ESPEC PL-3K环境试验箱:-70℃~+180℃温度循环测试
9. Omicron Bode100频响分析仪:10MHz带宽开关特性分析
10. Keithley 2450源表:1μV/10fA微小信号测量能力
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。